[發明專利]發光器件及背光單元

有效

• 申請號: 201210022699.2
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN102623602B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 羅珉圭;金省均;金明洙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;G02F1/13357
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 姜燕,邢雪紅

1.一種發光器件，包括：

透光襯底；

發光結構，設置在所述透光襯底上，該發光結構包括第一導電類型半導體層、有源層以及第二導電類型半導體層；

導電層，設置在所述第二導電類型半導體層上；

第一電極部，設置在所述導電層上，該第一電極部具有至少一預定區域，該預定區域穿過所述導電層、所述第二導電類型半導體層和所述有源層而與所述第一導電類型半導體層相接觸；以及

第一絕緣層，設置在所述導電層與所述第一電極部之間、所述第二導電類型半導體層與所述第一電極部之間以及所述有源層與所述第一電極部之間。

2.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：

第二電極部，設置在所述導電層上。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極部包括：

第一焊盤部，設置在所述第一絕緣層上；

第一延伸部，設置在所述第一絕緣層上，從所述第一焊盤部延伸出去；

至少一個第一接觸電極，連接到所述第一延伸部，穿過所述導電層、所述第二導電類型半導體層和所述有源層而與所述第一導電類型半導體層相接觸。

4.一種發光器件，包括：

襯底；

發光結構，設置在所述襯底上，該發光結構包括第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；

導電層，設置在所述第二導電類型半導體層上；

第一電極部，設置在所述導電層上，該第一電極部具有至少一預定區域，該預定區域穿過所述導電層、所述第二導電類型半導體層和所述有源層而與所述第一導電類型半導體層相接觸；

第一絕緣層，設置在所述導電層與所述第一電極部之間、所述第二導電類型半導體層與所述第一電極部之間以及所述有源層與所述第一電極部之間；

第二電極部，設置在所述導電層上；以及

第二絕緣層，設置在所述導電層與所述第二電極部之間，

其中所述第二電極部的至少一預定區域穿過所述第二絕緣層而與所述導電層相接觸。

5.根據權利要求4所述的發光器件，其中所述第一電極部包括：

第一焊盤部，設置在所述第一絕緣層上；

第一延伸部，設置在所述第一絕緣層上，從所述第一焊盤部延伸出去；以及

至少一個第一接觸電極，連接到所述第一延伸部，穿過所述導電層、所述第二導電類型半導體層以及所述有源層而與所述第一導電類型半導體層相接觸。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述第二電極部包括：

第二焊盤部，設置在所述第二絕緣層上；

第二延伸部，設置在所述第二絕緣層上，從所述第二焊盤部延伸出去；以及

至少一個第二接觸電極，連接到所述第二延伸部，穿過所述第二絕緣層而與所述導電層相接觸。

7.根據權利要求3或5所述的發光器件，其中設置有多個第一接觸電極，并且所述多個第一接觸電極彼此間隔開。

8.根據權利要求6所述的發光器件，其中每兩個相鄰的所述第一接觸電極之間的距離相同。

9.根據權利要求6所述的發光器件，其中兩個相鄰的所述第一接觸電極之間的距離隨著相距所述第一焊盤部越遠而增大。

10.根據權利要求6所述的發光器件，其中設置有多個第二接觸電極并且所述多個第二接觸電極彼此間隔開。

11.根據權利要求10所述的發光器件，其中每兩個相鄰的所述第二接觸電極之間的距離相同。

12.根據權利要求10所述的發光器件，其中兩個相鄰的所述第二接觸電極之間的距離隨著相距所述第二焊盤部越遠而增大。

13.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述第一接觸電極排列在兩個相鄰的所述第二接觸電極之間。

14.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述第一接觸電極的中心排列在兩個相鄰的所述第二接觸電極之間的中間點處。

15.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述第二延伸部包括分別從所述第二焊盤部沿不同方向延伸出去的第一分支指狀電極和第二分支指狀電極，并且連接到所述第一分支指狀電極的所述第二接觸電極和連接到所述第二分支指狀電極的所述第二接觸電極對稱設置。