[發明專利]具有在基板構件上構造的多個發射器的激光器封裝件

無效

• 申請號: 201210022516.7
• 申請日: 2012-01-30
• 公開（公告）號: CN102790357A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 詹姆斯·W·拉林;保羅·魯迪;白辰東
• 申請（專利權）人: 天空公司
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/343
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

1.一種激光裝置，包括：

含有鎵和氮材料的基板，所述基板具有特征在于半極性或非極性取向的表面區，所述基板具有前側和背側；

位于所述基板內的至少一個有源區；

覆蓋所述有源區的N個發射器的陣列，N大于3，所述N個發射器的陣列彼此基本上平行并且位于所述前側和所述背側之間，所述N個發射器中的每一個被構造成在所述前側處發射輻射，所述N個發射器的陣列與藍色或綠色波長相關，所述N個發射器的陣列的特征在于至少25mW的平均操作功率，所述N個發射器中的每一個的特征在于長度和寬度，所述長度為至少400μm，所述寬度為至少1μm；

電耦接于所述N個發射器的陣列的至少一個電極；以及

位于所述基板的所述前側處的至少一個光學構件，用于光學組合來自所述發射器的輻射。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述激光裝置在包括至少150,000ppmv氧氣的環境中是可操作的；據此所述激光裝置在一時間段內基本上沒有來自所述氧氣的效率降低。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述激光裝置基本上沒有AlGaN或InAlGaN覆層；其中，每一個所述發射器包括前面和后面，所述前面基本上沒有涂層。

4.根據權利要求1所述的裝置，進一步包括熱耦接于所述基板的微通道冷卻器；并且進一步包括特征在于熱膨脹系數(CTE)與所述基板和散熱器相關的子支架。

5.根據權利要求1所述的裝置，進一步包括耦接于所述基板的子支架，所述子支架由包括氮化鋁、BeO、金剛石、復合金剛石、或組合中的至少一種的材料制成。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述基板膠合到子支架上，所述子支架的特征在于熱導率為至少200W/(mk)。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述基板包括一個或多個覆層區。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述一個或多個光學構件包括快軸準直透鏡。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述激光裝置的特征在于光譜寬度為至少4nm；其中N在3至50之間的范圍。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述N個發射器中的每一個產生25至1000mW的平均輸出功率。

11.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述N個發射器中的每一個產生大于1W的平均輸出功率。

12.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述N個發射器彼此分隔開3μm至300μm。

13.一種激光裝置，包括：

含有鎵和氮材料的基板，所述基板具有特征在于半極性或非極性取向的表面區，所述基板具有前側和背側；

位于所述基板內的一個或多個有源區；

覆蓋所述一個或多個有源區的N個發射器的陣列，N大于3，所述N個發射器的陣列彼此基本上平行并且位于所述前側和所述背側之間，所述N個發射器中的每一個被構造成在所述前側處發射輻射，所述N個發射器的陣列與藍色或綠色波長相關，所述N個發射器的陣列的特征在于至少25mW的平均操作功率，所述N個發射器中的每一個的特征在于長度和寬度，所述長度為至少400μm，所述寬度為至少1μm；

電耦接于所述N個發射器的陣列的一個或多個電極；

位于所述基板的所述前側處的一個或多個光學構件，用于光學校準來自所述發射器的輻射；

熱耦接于第一基板的散熱器。

14.根據權利要求13所述的裝置，進一步包括堆疊在所述第一基板的頂部上的第二基板。

15.根據權利要求13所述的裝置，進一步包括堆疊在所述第一基板側面的第二基板。