[發明專利]在Ⅲ-Ⅴ族制造工藝中形成在硅晶圓的背面上方的保護膜

有效

• 申請號: 201210022053.4
• 申請日: 2012-01-31
• 公開（公告）號: CN103021804A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 聶俊峰;喻中一;林宏達
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在硅襯底的第一表面和第二表面上方形成第一介電層，所述第一表面和第二表面為相對的表面，其中所述第一介電層的第一部分覆蓋所述襯底的所述第一表面，并且所述第一介電層的第二部分覆蓋所述襯底的所述第二表面；

形成開口，所述開口從所述第一表面延伸到所述襯底中；

通過第二介電層填充所述開口；以及

去除所述第一介電層的所述第一部分而沒有去除所述第一介電層的所述第二部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，使用單晶圓工藝實施去除所述第一介電層的所述第一部分；以及

所述單晶圓工藝包括：將酸散布在所述襯底的所述第一表面上，從而去除所述第一介電層的所述第一部分。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在形成所述開口之前，圖案化所述第一介電層的所述第一部分，以形成圖案化的電介質掩模，并且其中，使用所述圖案化的電介質掩模實施形成所述開口。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在填充以后，對于所述第二介電層實施拋光工藝；以及

其中，所述拋光工藝在所述第一介電層和第二介電層之間具有低蝕刻選擇性。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在去除之后，在所述襯底的所述第一表面上方形成III-V族層。

6.一種制造半導體器件的方法，包括：

在硅襯底的正面和背面上方形成氮化硅層，其中，所述氮化硅層的第一部分形成在所述襯底的所述正面上方，并且其中，所述氮化硅層的第二部分形成在所述襯底的所述背面上方；

圖案化所述氮化硅層的所述第一部分，從而形成所述氮化硅層的圖案化的第一部分；

從所述正面在所述襯底中蝕刻多個凹槽，其中，在蝕刻過程中所述氮化硅層的所述圖案化的第一部分用作蝕刻掩模；

在所述襯底的所述正面上方形成氧化硅層，所述氧化硅層填充所述凹槽；以及

去除所述氮化硅層的所述圖案化的第一部分而沒有去除所述氮化硅層的所述第二部分。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，去除包括：從所述正面將熱磷酸施加給所述氮化硅層的所述圖案化的第一部分。

8.根據權利要求6所述的方法，進一步包括：在形成所述氮化硅層之前，在所述襯底的所述正面上方形成墊氧化物層，并且其中，所述氮化硅層的所述第一部分形成在所述墊氧化物層上方。

9.根據權利要求6所述的方法，進一步包括：在去除之后，在所述襯底的所述正面上方形成III-V族層。

10.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供多個硅晶圓；

通過氮化硅材料涂覆所述晶圓中每個；

從所述晶圓的正面對于所述氮化硅材料實施圖案化工藝，從而形成多個圖案化的氮化硅掩模；

通過所述圖案化的氮化硅掩模在所述晶圓的每個中蝕刻多個溝槽，其中，從所述晶圓的所述正面實施蝕刻；

通過氧化硅材料填充所述溝槽，從而形成多個淺溝槽隔離(STI)結構；以及

通過從所述正面將酸散布到每個獨立晶圓上來去除所述圖案化的氮化硅掩模，其中，以不通過去除工藝去除涂覆在每個晶圓的背面周圍的所述氮化硅材料的方式來實施所述去除工藝；以及

進一步包括：

在涂覆之前，在所述晶圓中的每個的所述正面上方形成墊氧化物層；以及

在填充之后，對于所述氧化硅材料實施化學-機械-拋光(CMP)工藝；以及

其中，實施所述CMP工藝直到去除所述圖案化的氮化硅掩模；以及

其中，所述CMP工藝在氧化硅和氮化硅之間具有接近1∶1的蝕刻選擇性。