[發(fā)明專利]光傳感器模塊無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210021584.1 | 申請日: | 2012-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN102629615A | 公開(公告)日: | 2012-08-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 內(nèi)藤龍介;谷惠海子;程野將行;清水裕介;中村圭 | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感器 模塊 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光傳感器模塊,其具有光波導(dǎo)路單元和基板單元,在該基板單元安裝有光學(xué)元件。
背景技術(shù)
如圖9的(a)、圖9的(b)所示,光傳感器模塊是以如下方式制造出的,即、分別制作光波導(dǎo)路單元W0和基板單元E0,該光波導(dǎo)路單元W0是依次層疊下包層71、芯72及上包層73而形成的,該基板單元E0在基板81上安裝有光學(xué)元件82,在對上述光波導(dǎo)路單元W0的芯72與基板單元E0的光學(xué)元件82進行了調(diào)心的狀態(tài)下,利用接合劑等將上述基板單元E0接合于上述光波導(dǎo)路單元W0的端部。另外,在圖9的(a)、圖9的(b)中,附圖標(biāo)記75是基座,附圖標(biāo)記85是密封樹脂。
在此,通常,上述光波導(dǎo)路單元W0的芯72與基板單元E0的光學(xué)元件82之間的上述調(diào)心是使用自動調(diào)心機來進行的(例如,參照專利文獻1)。在該自動調(diào)心機中,在將光波導(dǎo)路單元W0固定于固定工作臺(未圖示)、并將基板單元E0固定于能夠移動的工作臺(未圖示)的狀態(tài)下,進行上述調(diào)心。即,在上述光學(xué)元件82為發(fā)光元件的情況下,如圖9的(a)所示,在從該發(fā)光元件發(fā)出光H1的狀態(tài)下,相對于芯72的一端面(光入口)72a改變基板單元E0的位置,并且對從芯72的另一端面(光出口)72b經(jīng)由上包層73的頂端部的透鏡部73b出射的光的光量(自動調(diào)心機所具有的受光元件91所產(chǎn)生的電動勢)進行監(jiān)視,將該光量最大的位置確定為調(diào)心位置(芯72與光學(xué)元件82相互對準(zhǔn)的位置)。另外,在上述光學(xué)元件82為受光元件的情況下,如圖9的(b)所示,在自芯72的另一個端面72b入射恒定量的光(從自動調(diào)心機所具有的發(fā)光元件92發(fā)出、并透過上包層73的頂端部的透鏡部73b的光)H2、并使該光H2從芯72的一端面72a經(jīng)由上包層73的后端部73a出射的狀態(tài)下,相對于芯72的一端面72a改變基板單元E0的位置,并且對利用該受光元件接收到的光量(電動勢)進行監(jiān)視,將該光量最大的位置確定為調(diào)心位置。
專利文獻1:日本特開平5-196831號公報
但是,在使用上述自動調(diào)心機進行的調(diào)心過程中,雖然能夠進行高精度的調(diào)心,但是費時費力,不適于量產(chǎn)。
因此,本申請人提出有不需要上述那樣的設(shè)備和作業(yè)就能夠進行調(diào)心的光傳感器模塊,并且已經(jīng)提出專利申請(日本專利申請?zhí)卦?009-180723)。圖10的(a)是該光傳感器模塊的俯視圖、圖10的(b)是從右斜上方觀察該光傳感器模塊的右端部的立體圖,如圖10的(a)、圖10的(b)所示,該光傳感器模塊在光波導(dǎo)路單元W1中,將上包層43中的、不存在芯42的兩側(cè)部分(圖10的(a)中的右端部的上下部分)沿著芯42的軸線方向(圖10的(a)中的右方向)延長。而且,在該延長部分44中,基板單元嵌合用的一對縱槽部44a形成在相對于芯42的光透過面(一端面)42a適當(dāng)?shù)奈恢茫摽v槽部44a沿著光波導(dǎo)路單元W1的厚度方向延伸。另一方面,在基板單元E1的左右兩側(cè)部(橫向的兩側(cè)部),嵌合部51a形成在相對于光學(xué)元件54適當(dāng)?shù)奈恢茫逗喜?1a用于與上述縱槽部44a嵌合。
另外,在上述光傳感器模塊中,以在上述嵌合部51a嵌合于上述縱槽部44a狀態(tài),光波導(dǎo)路單元W1與上述基板單元E1相結(jié)合,上述嵌合部51a形成于上述基板單元E1,上述縱槽部44a形成于上述光波導(dǎo)路單元W1。在此,上述光波導(dǎo)路單元W1的縱槽部44a被設(shè)計成相對于上述芯42的光透過面42a位于適當(dāng)?shù)奈恢茫鲜龌鍐卧狤1的嵌合部51a被設(shè)計成相對于上述光學(xué)元件54位于適當(dāng)?shù)奈恢茫虼耍蒙鲜隹v槽部44a與上述嵌合部51a嵌合,上述芯42與上述光學(xué)元件54自動地進行調(diào)心。另外,在圖10的(a)、圖10的(b)中,附圖標(biāo)記45為基座,附圖標(biāo)記45a為形成于基座45的、供基板單元E1貫穿的通孔,附圖標(biāo)記51為形成有上述嵌合部51a的整形基板,附圖標(biāo)記55為密封樹脂。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





