[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201210020273.3
• 申請日: 2012-01-29
• 公開（公告）號: CN102623598A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 丁鍾弼;黃凈鉉;金鍾國;孫圣珍
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;吳鵬章

技術領域

實施方案涉及發光器件、制造發光器件的方法、發光器件封裝件以及照明系統。

背景技術

發光二極管(LED)是將電能轉化成光能的化合物半導體器件。在此，化合物半導體的組成比可以調整，以實現多種顏色。

近來，低電壓/高功率驅動器件在LED背光單元市場變得受歡迎。為了在改善工作電壓的同時保持發光強度，正在進行關于外延端的很多研究。具體而言，正在嘗試用于改善工作電壓(Vf)的多種方案。

發明內容

實施方案提供一種能夠增加發光強度和改善工作電壓Vf的發光器件、一種制造發光器件的方法、一種發光器件封裝件以及一種照明系統。

在一個實施方案中，發光器件包括：第一導電型半導體層；所述第一導電型半導體層上方的發光層；所述發光層上方的電子阻擋層；和所述電子阻擋層上方的第二導電型半導體層，其中所述電子阻擋層包括具有高度差的圖案。

根據發光器件、制造發光器件的方法、發光器件封裝件以及照明系統，可以增加發光強度，并且，還可以改善工作電壓(Vf)

下面的附圖和描述中給出了一個或更多個實施方案的細節。根據描述和附圖以及權利要求，其他特征將會變得明顯。

附圖說明

圖1是根據一個實施方案的發光器件的截面圖；

圖2是示出根據一個實施方案的發光器件的改善的工作電壓的示例的視圖；

圖3至圖5是示出制造根據一個實施方案的發光器件的過程的截面圖；

圖6是根據一個實施方案的發光器件封裝件的截面圖；

圖7是根據一個實施方案的照明單元的立體圖；和

圖8是根據一個實施方案的背光單元的立體圖。

具體實施方案

下文中，將參照附圖描述根據實施方案的發光器件、制造發光器件的方法、發光器件封裝件以及照明系統。

在實施方案的描述中，會理解，當稱層(或者膜)位于另外的層或者基板“上”時，其可以直接位于另外的層或者基板上，或者也可以有中間層。此外，會理解，當層被稱為位于另外的層“下”時，其可以直接位于另外的層下面，也可以有一個或更多個中間層。另外，還會理解，當稱層位于兩個層“之間”時，其可以是兩個層之間的唯一的層，或者也可以有一個或更多個中間層。

(實施方案)

圖1是根據實施方案的發光器件100的截面圖。在此，雖然作為示例示出了橫向型發光器件，但是本公開內容不限于此。

發光器件100包括：第一導電型半導體層110、第二導電型半導體層140以及設置在第一導電型半導體層110與第二導電型半導體層140之間的發光層120。

在此，第一導電型半導體層110可以是摻有N型摻雜劑(例如Si)的半導體層。此外，第二導電型半導體層140可以是摻有P型摻雜劑(例如Mg)的半導體層。下文中，雖然基于上述結構對這種應用進行描述，然而本公開內容不限于此。

可以進一步在第二導電型半導體層140與發光層120之間設置電子阻擋層130。

電子阻擋層130可以改善電子與空穴之間的復合，以及防止出現漏電流。電子阻擋層130可以在施加大電流時防止從第一導電型半導體層110注入發光層120中的電子在沒有與發光層120中的空穴復合的情況下流到第二導電型半導體層140中。

也就說，因為電子阻擋層130具有比發光層120的帶隙相對大的帶隙，所以電子阻擋層130可以防止從第一導電型半導體層110注入的電子在沒有與發光層120中的空穴復合的情況下注入第二導電型半導體層140中。

當電子阻擋層130較厚時，可以改善復合效率，以增加發光效率。然而，厚的電子阻擋層130可能中斷從第二導電型半導體層140提供的空穴的移動，從而可能增加工作電壓Vf。

根據當前實施方案的電子阻擋層130包括具有不均勻厚度的圖案。例如，如圖1中所示，電子阻擋層130可以包括具有相對厚的厚度的峰131b以及具有相對薄的厚度的谷131a。

從第一導電型半導體層110注入的電子可以在峰131b處進一步被阻擋，以使發光效率最大化。

此外，可以使從第二導電型半導體層140注入的空穴的移動的中斷最小化，以使工作電壓Vf的增加最小化。也就是說，根據當前實施方案的發光器件100可以包括厚的電子阻擋層130，以使電子阻擋效果最大化。另外，發光器件100可以包括空穴容易通過的淺谷131a以防止工作電壓Vf增加。