[發明專利]一種羥基氧化鈷的制備方法

無效

• 申請號: 201210016504.3
• 申請日: 2012-01-17
• 公開（公告）號: CN102569785A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 周漢章;唐紅輝;劉更好;廖折軍
• 申請（專利權）人: 佛山市邦普循環科技有限公司
• 主分類號: H01M4/525
• 分類號: H01M4/525
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 孫菊梅

1.一種羥基氧化鈷的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1)原料準備：以氯化鈷、硫酸鈷、硝酸鈷中一種或幾種鈷鹽溶液為原料，溶液中鈷離子濃度為0.5～2.0mol/L，堿性溶液為氫氧化鈉溶液、氨水、氫氧化鉀溶液中的一種或幾種混合液，氫氧根濃度為3.0～6.0mol/L；

2)沉淀反應：堿性溶液加入反應釜中，加入鈷鹽溶液和氧化劑，同時進行沉淀和氧化反應，控制反應溫度為40～70℃，氧化劑用量為理論值的1.2～10倍，反應時間為3～10小時，反應終點pH值＞12；

3)洗滌除雜：上述沉淀物過濾后，用去離子水洗滌，除去溶于水的陰陽離子，再用純水制得固液比為1∶1～1∶4的含羥基氧化鈷的漿料；

4)干燥造粒：將上述漿料打入噴霧干燥器或流化床干燥器進行干燥造粒；

5)混合過篩：將干燥造粒的羥基氧化鈷放入混合機中進行混合，再過篩制得D50為10～20微米的羥基氧化鈷成品。

2.根據權利要求1所述的羥基氧化鈷的制備方法，其特征在于：所述的氧化劑為過硫酸鈉、過硫酸鉀、過硫酸銨、空氣及臭氧中的一種或幾種混合物。

3.根據權利要求1所述的羥基氧化鈷的制備方法，其特征在于：所述的干燥造粒控制溫度80～120℃。