[發(fā)明專利]設(shè)有粗糙表面的發(fā)光二極管及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210015086.6
• 申請(qǐng)日: 2012-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN103219432A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李家銘;葉念慈;張翔思;呂坤圃;張昭仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰谷光電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/38;H01L33/20
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;韓宏

1.一種發(fā)光二極管的制造方法，包括：

在基板上形成多個(gè)外延材料層，該多個(gè)外延材料層依次包括緩沖層、n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、及p型半導(dǎo)體層；在該p型半導(dǎo)體層的上表面形成本生氧化層；

對(duì)于該本生氧化層進(jìn)行蝕刻處理，從而形成該p型半導(dǎo)體層的粗糙表面；

在該粗糙表面上形成透明導(dǎo)電保護(hù)層，使該透明導(dǎo)電保護(hù)層與該粗糙表面相接觸；以及

形成多個(gè)電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該本生氧化層來自p型半導(dǎo)體層表面的氧化作用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該本生氧化層的厚度為非均勻厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其中該本生氧化層的厚度介于約10及約1000納米之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中構(gòu)成該本生氧化層的化合物選自氧化銦、氧化鎵或氧化鋁。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制成方法，其中該透明導(dǎo)電保護(hù)層選自氧化銦錫、氧化鋅、鎳、金、鋁、鉻、鈀、鉑、釕、銥或鈦。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該蝕刻處理以干蝕刻或濕蝕刻的方式進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中該干蝕刻包括等離子體、激光、濺鍍、離子束、反應(yīng)性離子蝕刻或感應(yīng)耦合等離子體離子蝕刻。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中該濕蝕刻以酸溶液或堿溶液作為蝕刻劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中該酸溶液選自硫酸、磷酸、硝酸、亞硝酸、亞磷酸、鹽酸、醋酸、碳酸、硼酸、甲酸、碘酸、草酸、氯化鐵、氫氟酸、硫化氫、亞硫酸、氟磺酸、烷基磺酸、氧化物蝕刻劑中的一種或多種。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中該堿溶液選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、四甲基銨氫氧化物、氫氧化銨、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、氫氧化鋇中的一種或多種。

12.一種發(fā)光二極管，包括：

基板；

位于該基板上的多個(gè)外延材料層，該多個(gè)外延材料層依次包括緩沖層、n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、及p型半導(dǎo)體層，其中該p型半導(dǎo)體層具有凹凸不平的粗糙表面；

位于該p型半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電保護(hù)層，其中該透明導(dǎo)電保護(hù)層與該粗糙表面相接觸；及

分別接觸該n型半導(dǎo)體層及該透明導(dǎo)電保護(hù)層的多個(gè)電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中該凹凸不平的粗糙表面的形成方法選自干蝕刻或濕蝕刻。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中該透明導(dǎo)電保護(hù)層選自氧化銦錫、氧化鋅、鎳、金、鋁、鉻、鈀、鉑、釕、銥或鈦。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中該粗糙表面具有不規(guī)則圖案。