[發明專利]具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構有效
| 申請號： | 201210014707.9 | 申請日： | 2012-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN102723412A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發明（設計）人： | 許并社;李學敏;劉旭光 | 申請（專利權）人： | 許并社;李學敏;劉旭光 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 埋入 納米 粒子 白光 led 芯片 結構 | ||
1.一種具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，包括藍寶石基板（1）、多層量子阱氮化銦鎵/氮化鎵主動層（6）、P型氮化鎵外延層（7）、負電極金屬層（9）、以及正電極金屬層（10）；其特征在于：還包括低溫氮化鎵中間層（2）、第一層N型氮化鎵外延層（3）、埋入式銀納米粒子層（4）、第二層N型氮化鎵外延層（5）、以及銦錫氧化物透明導電層（8）；其中，低溫氮化鎵中間層（2）堆棧于藍寶石基板（1）上；第一層N型氮化鎵外延層（3）堆棧于低溫氮化鎵中間層（2）上；埋入式銀納米粒子層（4）堆棧于第一層N型氮化鎵外延層（3）上；第二層N型氮化鎵外延層（5）堆棧于埋入式銀納米粒子層（4）上；多層量子阱氮化銦鎵/氮化鎵主動層（6）堆棧于第二層N型氮化鎵外延層（5）上，且第二層N型氮化鎵外延層（5）部分曝露于多層量子阱氮化銦鎵/氮化鎵主動層（6）外；P型氮化鎵外延層（7）堆棧于多層量子阱氮化銦鎵/氮化鎵主動層（6）上；銦錫氧化物透明導電層（8）堆棧于P型氮化鎵外延層（7）上；負電極金屬層（9）堆棧于第二層N型氮化鎵外延層（5）的曝露部分上；正電極金屬層（10）堆棧于P型氮化鎵外延層（7）上，且正電極金屬層（10）與銦錫氧化物透明導電層（8）連接。
2.根據權利要求1所述的具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，其特征在于：所述藍寶石基板（1）是采用藍寶石制成的。
3.根據權利要求1或2所述的具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，其特征在于：所述低溫氮化鎵中間層（2）是采用低溫氮化鎵制成的。
4.根據權利要求1或2所述的具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，其特征在于：所述埋入式銀納米粒子層（4）是采用銀制成的。
5.根據權利要求3所述的具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，其特征在于：所述埋入式銀納米粒子層（4）是采用銀制成的。
6.根據權利要求1或2所述的具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，其特征在于：所述埋入式銀納米粒子層（4）是利用高溫熱處理技術在含氧氣環境下制作而成的納米粒子結構。
7.根據權利要求3所述的具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，其特征在于：所述埋入式銀納米粒子層（4）是利用高溫熱處理技術在含氧氣環境下制作而成的納米粒子結構。
8.根據權利要求4所述的具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，其特征在于：所述埋入式銀納米粒子層（4）是利用高溫熱處理技術在含氧氣環境下制作而成的納米粒子結構。
9.根據權利要求5所述的具有埋入式銀納米粒子的白光LED芯片結構，其特征在于：所述埋入式銀納米粒子層（4）是利用高溫熱處理技術在含氧氣環境下制作而成的納米粒子結構。
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