[發明專利]一種硅外延層過渡區的無損檢測方法無效

申請號：	201210013901.5	申請日：	2012-01-17
公開（公告）號：	CN102538732A	公開（公告）日：	2012-07-04
發明（設計）人：	趙麗霞;陳秉克	申請（專利權）人：	河北普興電子科技股份有限公司
主分類號：	G01B21/02	分類號：	G01B21/02;G01B7/06;G01B11/06
代理公司：	石家莊國為知識產權事務所 13120	代理人：	李榮文
地址：	050200 河北省石***	國省代碼：	河北;13
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種外延過渡無損檢測方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及硅外延生長技術領域，尤其涉及一種硅外延層過渡區的無損檢測方法。

背景技術

硅外延片是一種廣泛應用于各種半導體器件及模塊的半導體材料，在被視為“信息工業的糧食”的集成電路制造鏈條中，處于前端基礎地位，被廣泛應用于風能、太陽能、汽車、手機、家電等高檔電子消費產品中。

硅外延產品一般是以重摻砷、重摻磷、重摻銻、重摻硼硅拋光片作為襯底加工而成。硅外延片具有結晶完美無晶體原生缺陷、外延層電阻率和厚度精確可控、過渡區可調等優良的特性，其外延層被廣泛用于集成電路及分立器件等制作中，可以滿足生產功率場效應器件、絕緣柵雙極晶體管、肖特基二極管、微處理器、?電荷藕合器件和快閃存儲器等的要求。而硅外延層過渡區的長短、有效厚度的大小直接影響到了最終產品的擊穿電壓、正向壓降、反向壓降、反向恢復時間等關鍵參數。

而目前測量過渡區的方法是利用擴展電阻法測量縱向分布曲線來獲得，該方法是破壞性測量，一般只能做定性測量很難做到定量，測量區域小，測量時需從硅外延片上切下一小方塊區域，粘貼在有固定角度的磨塊上，研磨得到傾斜的剖面，然后對這個剖面縱向以固定的間隔進行測量，通過計算得到厚度和電阻率的分布。因此開發一種無損、快捷、高效的檢測方法勢在必行。

發明內容

本發明提供一種硅外延層過渡區的無損檢測方法，具有無損、準確率高、檢測速度快的優點。

本發明所采取的技術方案是：

一種硅外延層過渡區的無損檢測方法，包括下述步驟：

（1）生長前利用電容位移傳感器的方法先測量硅襯底片總厚度Tsub；

（2）將此片外延生長，取片后利用紅外膜厚測試儀測量硅外延層厚度Tepi，測量位置和外延前測量硅襯底片厚度的位置相對應；

（3）然后利用電容位移傳感器的方法再測量此片的總厚度Ttot，其測量位置和襯底片測量厚度的位置相對應；

（4）利用公式:?(硅襯底片總厚度Tsub+硅外延層厚度Tepi)?–外延后硅片的總厚度Ttot，得到過渡區長度。

如果該值為負,?即襯底片總厚度Tsub+硅外延層厚度Tepi?<外延后硅片的總厚度Ttot,即表示為外延層向襯底外擴。

該值為正時,?即：襯底片總厚度Tsub+硅外延層厚度Tepi?>外延后硅片的總厚度Ttot,則是由襯底擴至外延層。

采用上述技術方案所產生的有益效果在于：

1.因為本方法不具破壞性，對檢測部位無損傷,因此可以外延片上多個位置的100%檢驗。