[發明專利]半導體模塊

有效

• 申請號: 201210013261.8
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN102593091A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 門口卓矢;奧村知巳;三好達也
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/433;H01L21/48
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;張彬

1.一種半導體模塊，其包括：

金屬塊；

半導體裝置，其經由焊料層而安裝于所述金屬塊的表面的半導體裝置安裝區域中；以及

模壓部，其通過在所述金屬塊和所述半導體裝置上對樹脂進行模壓而形成；

其中所述金屬塊的所述表面包括電鍍區域和粗化區域，并且

所述半導體裝置安裝區域設置在所述電鍍區域中。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其中所述電鍍區域相對于所述金屬塊而形成為帶狀。

3.根據權利要求2所述的半導體模塊，其中所述電鍍區域包括形成于其中的多個凹部。

4.根據權利要求2或3所述的半導體模塊，其中所述粗化區域以帶狀形成在所述電鍍區域的相對兩側上。

5.根據權利要求1至4中的任何一項所述的半導體模塊，其中所述金屬塊的所述表面包括金屬板上表面，所述金屬板由不同于所述金屬塊的材料而形成并且被壓入配合至所述金屬塊的一部分；

所述金屬板的所述上表面制成所述粗化區域；并且

所述金屬塊的所述表面的除所述金屬板的所述上表面以外的區域制成所述電鍍區域。

6.根據權利要求1至5中的任何一項所述的半導體模塊，其中多個所述半導體裝置安裝區域設置在所述金屬塊的所述表面上。

7.一種制造半導體模塊的方法，所述半導體模塊包括：金屬塊；半導體裝置，其經由半導體裝置安裝區域中的焊料層而安裝于所述金屬塊的表面；以及模壓部，其通過在所述金屬塊和所述半導體裝置上對樹脂進行模壓而形成，所述方法包括：

第一工序，其中制備帶狀金屬材料，多個所述半導體裝置安裝區域在所述帶金屬材料上排成直線，并且對所述金屬材料的表面上的預定區域進行電鍍以便形成包含有所述半導體裝置安裝區域的電鍍區域；

第二工序，其中用掩模覆蓋所述電鍍區域；

第三工序，其中對暴露在所述金屬材料的所述表面上的所述掩模之外的區域進行粗化以形成粗化區域；以及

第四工序，其中沿垂直于所述金屬材料的縱向的方向切割并分離所述金屬材料以便形成包括至少一個半導體裝置安裝區域的金屬塊。

8.根據權利要求7所述的方法，在所述第一工序前，還包括將金屬板壓入配合在所述金屬材料的一部分上的工序，如此，所述金屬板的上表面作為所述金屬材料的所述表面的一部分而露出，所述金屬板由不同于所述金屬材料的材料形成；其中

在所述第一工序中，所述電鍍區域通過選擇性地對所述金屬材料的所述表面的除所述金屬板的所述上表面以外的區域進行電鍍而形成。

9.根據權利要求7所述的方法，在所述第一工序前，還包括用第二掩模覆蓋所述金屬材料的所述表面的工序，如此，露出帶狀區域，所述半導體裝置安裝區域在所述帶狀區域中排成直線；其中

在所述第一工序中，所述電鍍區域通過對所述金屬材料的所述表面的暴露于所述第二掩模外的區域進行電鍍而形成，并且

在所述第三工序中，在移除所述第二掩模后形成所述粗化區域。

10.根據權利要求7至9中的任何一項所述的方法，還包括第五工序，其中在所述電鍍區域中形成多個凹部。

11.根據權利要求7至10中的任何一項所述的方法，其中所述金屬材料為一種環材料。

12.根據權利要求7至11中的任何一項所述的方法，其中所述掩模和/或所述第二掩模為帶狀構件，其寬度對應于待遮掩區域的寬度。

13.一種混合系統，其包括權利要求1至6中的任何一項所述的半導體模塊。