[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210012279.6
• 申請(qǐng)日: 2012-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN103208509A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李琮雄;杜尚暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置包括：

一基底，具有一第一摻雜區(qū)及位于其上的一第二摻雜區(qū)，其中所述第一及所述第二摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電類型，且其中所述第二摻雜區(qū)內(nèi)具有至少一第一溝槽及與其相鄰的至少一第二溝槽；

一第一外延層，設(shè)置于所述第一溝槽內(nèi)，且具有一第二導(dǎo)電類型；

一第二外延層，設(shè)置于所述第二溝槽內(nèi)，且具有所述第一導(dǎo)電類型，其中所述第二外延層具有一摻雜濃度大于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度，且小于所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度；以及

一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第二溝槽上方。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二外延層更包括一延伸部，位于所述基底上而覆蓋所述第二摻雜區(qū)，所述延伸部具有一第三溝槽而露出所述第一外延層，且具有一第三摻雜區(qū)鄰近于所述第三溝槽的一側(cè)壁，所述第三摻雜區(qū)具有所述第二導(dǎo)電類型。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度，且小于所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置更包括一介電材料層，設(shè)置于所述第三溝槽內(nèi)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述介電材料層包括氧化硅或未摻雜的多晶硅。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，且所述第二導(dǎo)電類型為P型。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)由一外延層所構(gòu)成。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一溝槽及所述第二溝槽露出所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的一界面。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一外延層具有一摻雜濃度大于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度，且小于所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一外延層順應(yīng)性設(shè)置于所述第一溝槽的一側(cè)壁及一底部上，且所述第二外延層順應(yīng)性設(shè)置于所述第二溝槽的一側(cè)壁及一底部上。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置更包括一介電材料層，設(shè)置于所述第一溝槽及所述第二溝槽內(nèi)。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述介電材料層包括氧化硅或未摻雜的多晶硅。

13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：

提供一基底，具有一第一摻雜區(qū)及位于其上的一第二摻雜區(qū)，其中所述第一及所述第二摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電類型；

在所述第二摻雜區(qū)內(nèi)形成至少一第一溝槽；

在所述第一溝槽內(nèi)填入一第一外延層，其中所述第一外延層具有一第二導(dǎo)電類型；

在所述第二摻雜區(qū)內(nèi)形成與所述第一溝槽相鄰的至少一第二溝槽；

在所述第二溝槽內(nèi)填入一第二外延層，其中所述第二外延層具有所述第一導(dǎo)電類型，且所述第二外延層具有一摻雜濃度大于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度，且小于所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度；以及

在所述第二溝槽上方形成一柵極結(jié)構(gòu)。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法更包括：

自所述第二溝槽內(nèi)延伸所述第二外延層于所述基底上而覆蓋所述第二摻雜區(qū)；

在所述基底上的所述第二外延層內(nèi)形成一第三溝槽而露出所述第一外延層；以及

在所述第二外延層內(nèi)形成一第三摻雜區(qū)，其中所述第三摻雜區(qū)鄰近于所述第三溝槽的一側(cè)壁，且具有所述第二導(dǎo)電類型。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度，且小于所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度。

16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法更包括在形成所述第三摻雜區(qū)之前，在所述第三溝槽內(nèi)形成一絕緣襯墊層。

17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法更包括在所述第三溝槽內(nèi)填入一介電材料層。