[發(fā)明專利]用于CMOS圖像傳感器的線結(jié)合內(nèi)插板封裝及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210012092.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103151360A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | V.奧加涅相 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 奧普蒂茲公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馬麗娜;盧江 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 cmos 圖像傳感器 結(jié)合 插板 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器封裝,包括:
裝卸器組件,所述裝卸器組件包括:
具有相對(duì)的第一和第二表面的晶體裝卸器,其中所述晶體裝卸器包括腔體,所述腔體形成到第一表面中使得所述腔體具有限定至少一個(gè)臺(tái)階表面的階梯側(cè)壁,所述至少一個(gè)臺(tái)階表面向內(nèi)延伸到所述腔體里面,以及
多個(gè)導(dǎo)電元件,所述多個(gè)導(dǎo)電元件均通過所述晶體裝卸器從所述至少一個(gè)臺(tái)階表面延伸到第二表面;
設(shè)置在腔體中的傳感器芯片,其中所述傳感器芯片包括:
具有前和后相對(duì)表面的基板,
形成在前表面處的多個(gè)光電檢測(cè)器,以及
形成在前表面處的電耦合到光電檢測(cè)器的多個(gè)接觸焊盤;
多個(gè)線,所述多個(gè)線均在接觸焊盤中的一個(gè)和導(dǎo)電元件中的一個(gè)之間延伸并且電連接所述接觸焊盤中的一個(gè)和導(dǎo)電元件中的一個(gè);以及
設(shè)置在腔體上并且被安裝到晶體裝卸器的基板,其中所述基板對(duì)至少一個(gè)范圍的光波長(zhǎng)是光學(xué)透明的。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,進(jìn)一步包括:
多個(gè)表面安裝互連,所述多個(gè)表面安裝互連均設(shè)置在晶體裝卸器的第二表面上,并且均電連接到導(dǎo)電元件中的一個(gè)。
3.如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器封裝,其中對(duì)于每一個(gè)導(dǎo)電元件:
導(dǎo)電元件在第一導(dǎo)電焊盤中的所述至少一個(gè)臺(tái)階表面處終止,其中所述線中的一個(gè)被連接到第一導(dǎo)電焊盤;以及
導(dǎo)電元件在第二導(dǎo)電焊盤中的第二表面處終止,其中所述表面安裝互連中的一個(gè)被連接到第二導(dǎo)電焊盤;
其中第一和第二導(dǎo)電焊盤均具有比導(dǎo)電元件的橫向尺寸大的橫向尺寸。
4.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,其中所述傳感器芯片進(jìn)一步包括:
安裝在光電檢測(cè)器上的多個(gè)濾色器和微透鏡。
5.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,其中基板具有這樣的表面:所述表面的一部分設(shè)置在光電檢測(cè)器上并且是非平面的。
6.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,其中所述多個(gè)導(dǎo)電元件通過介電材料與晶體裝卸器絕緣。
7.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,其中:
所述腔體具有設(shè)置得比臺(tái)階表面高的第一部分和設(shè)置得比臺(tái)階表面低的第二部分;
第二部分具有比第一部分的橫向尺寸小的橫向尺寸;以及
傳感器芯片設(shè)置在第二部分中。
8.如權(quán)利要求7所述的圖像傳感器封裝,其中傳感器芯片完全設(shè)置在第二部分內(nèi)。
9.一種封裝傳感器芯片的方法,所述圖像傳感器包括具有前和后相對(duì)表面的基板,形成在前表面處的多個(gè)光電檢測(cè)器,以及形成在前表面處的電耦合到光電檢測(cè)器的多個(gè)接觸焊盤,所述方法包括:
提供具有相對(duì)的第一和第二表面的晶體裝卸器;
將腔體形成到第一表面中使得所述腔體具有限定至少一個(gè)臺(tái)階表面的階梯側(cè)壁,所述至少一個(gè)臺(tái)階表面向內(nèi)延伸到所述腔體里面;
形成均通過所述晶體裝卸器從所述至少一個(gè)臺(tái)階表面延伸到第二表面的多個(gè)導(dǎo)電元件;
將傳感器芯片插入腔體中;
在傳感器芯片和所述多個(gè)導(dǎo)電元件之間附貼多個(gè)線使得每個(gè)線在接觸焊盤中的一個(gè)和導(dǎo)電元件中的一個(gè)之間延伸并且電連接所述接觸焊盤中的一個(gè)和導(dǎo)電元件中的一個(gè);以及
將基板安裝到晶體裝卸器使得基板被設(shè)置在腔體上,其中所述基板對(duì)至少一個(gè)范圍的光波長(zhǎng)是光學(xué)透明的。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,進(jìn)一步包括:
形成多個(gè)表面安裝互連,所述多個(gè)表面安裝互連均設(shè)置在晶體裝卸器的第二表面上,并且均電連接到導(dǎo)電元件中的一個(gè)。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其中所述多個(gè)導(dǎo)電元件中的每一個(gè)被如此形成使得:
導(dǎo)電元件在第一導(dǎo)電焊盤中的所述至少一個(gè)臺(tái)階表面處終止,其中所述線中的一個(gè)被連接到第一導(dǎo)電焊盤;以及
導(dǎo)電元件在第二導(dǎo)電焊盤中的第二表面處終止,其中表面安裝互連中的一個(gè)被連接到第二導(dǎo)電焊盤;
其中第一和第二導(dǎo)電焊盤均具有比導(dǎo)電元件的橫向尺寸大的橫向尺寸。
12.如權(quán)利要求9所述的方法,其中基板具有這樣的表面:所述表面的一部分設(shè)置在光電檢測(cè)器上并且是非平面的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





