[發(fā)明專利]一種尺寸可控的硅微/納米線陣列的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210011537.9 | 申請(qǐng)日： | 2012-01-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102556949A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅林保;揭建勝;聶彪;吳春艷;于永強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 合肥工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 尺寸 可控 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種尺寸可控的硅微/納米線陣列的制備方法，其特征是按如下步驟進(jìn)行：
(1)、以硅片為基底，將硅片依次放置在去離子水和丙酮中進(jìn)行超聲清洗后，隨后浸入在60-100℃的食人魚洗液中，5-20分鐘后取出晾干即為樣品A，在所述樣品A的表面旋涂光刻膠，烘干后形成300～500納米厚度的光刻膠層；按硅微/納米線陣列的圖形形式制作接觸式掩模板，利用具有硅微/納米線陣列圖形的接觸式掩模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行紫外曝光40s獲得樣品B，取下所述樣品B在顯影液中經(jīng)4-6分鐘顯影洗去被曝光的光刻膠得樣品C；
(2)、利用微電子鍍膜設(shè)備在所述樣品C的表面鍍厚度為20～50納米的金膜得到樣品D；將所述樣品D置于丙酮中，超聲處理后去除光刻膠及光刻膠表面上的金，保留與金接觸的硅片即為樣品E；
(3)、將所述樣品E浸入在刻蝕液中進(jìn)行金催化化學(xué)刻蝕，在完成所述金催化化學(xué)刻蝕后即得硅微/納米線陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的尺寸可控的硅微/納米線陣列的制備方法，其特征是所述光刻膠為AZ5206，所述顯影液為MIF-300。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的尺寸可控的硅微/納米線陣列的制備方法，其特征是所述光刻膠為ARP-5350，所述顯影液為AR3006。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的尺寸可控的硅微/納米線陣列的制備方法，其特征是所述食人魚洗液中是質(zhì)量百分比濃度不低于98％的濃H2SO4和質(zhì)量百分比濃度為40％的雙氧水H2O2按體積比為4∶1的配比。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的尺寸可控的硅微/納米線陣列的制備方法，其特征是所述刻蝕液是在1000ml的水溶液中含有4-5mol的HF和0.4-0.5mol的H2O2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的尺寸可控的硅微/納米線陣列的制備方法，其特征是所述步驟(1)和步驟(2)中丙酮的質(zhì)量百分比濃度為：99.5％。
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