[發明專利]位級內存控制器及控制方法

無效

• 申請號: 201210011196.5
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN103150273A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 蕭博文;謝宏文
• 申請（專利權）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F11/10
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

1.一種位級內存控制器，適用于管理一非揮發性內存的缺陷位，包含：

一內存總線接口控制器，用以控制一內存總線的數據通信，該內存總線位于所述非揮發性內存與所述位級內存控制器之間；

一壞行管理(BCM)單元，該壞行管理(BCM)單元取得一位級映像表，該位級映像表分別標記缺陷位，其中該BCM單元根據該位級映像表以建構一位級卷標表(BLS)，該位級卷標表包含多個項目以分別記載缺陷位群；

一內部緩沖器，用以儲存所述BCM單元根據所述位級卷標表所管理的數據；及

一主機總線接口控制器，用以控制一主機總線的數據通信，該主機總線位于一主機與所述位級內存控制器之間。

2.如權利要求1所述的位級內存控制器，還包含一先進先出(FIFO)控制器，其位于所述BCM單元與所述內部緩沖器之間。

3.如權利要求1所述的位級內存控制器，還包含一先進先出(FIFO)控制器，其位于所述內存總線接口控制器與所述BCM單元之間。

4.如權利要求1所述的位級內存控制器，其中所述位級卷標表的每一項目包含一開始位，記載所述相應缺陷位群的開始缺陷位的位置；及一略過位范圍，記載所述相應缺陷位群的長度。

5.如權利要求1所述的位級內存控制器，其中所述位級卷標表的每一項目包含一開始位，記載所述相應缺陷位群中含有缺陷位的位集的開始位置；及一略過位范圍，記載所述相應缺陷位群的位集的長度。

6.如權利要求1所述的位級內存控制器，其中所述BCM單元在讀取數據時，略過所述位級卷標表所記載的缺陷位位置所儲存的錯誤數據，因而過濾該數據，并將正確數據搬移至所述內部緩沖器。

7.如權利要求6所述的位級內存控制器，其中所述BCM單元在寫入數據時，當數據的目標地址不符合所述位級卷標表時，則將所述內部緩沖器的數據搬移至所述非揮發性內存；當數據的目標地址符合所述位級卷標表時，則附加虛位以寫入至所述非揮發性內存。

8.一種位級內存控制方法，適用于管理一非揮發性內存的缺陷位，包含：

取得一位級映像表，該映像表分別標記缺陷位；

根據所述位級映像表以建構一位級卷標表(BLS)，該位級卷標表(BLS)包含多個項目以分別記載缺陷位群；及

根據所述位級卷標表管理數據，并將經管理的所述數據儲存至一內部緩沖器。

9.如權利要求8所述的位級內存控制方法，還包含一步驟：在儲存所述數據至所述內部緩沖器之前，對所述數據執行錯誤控制編碼(ECC)。

10.如權利要求8所述的位級內存控制方法，其中所述位級卷標表的每一項目包含一開始位，記載所述相應缺陷位群的開始缺陷位的位置；及一略過位范圍，記載所述相應缺陷位群的長度。

11.如權利要求8所述的位級內存控制方法，其中所述位級卷標表的每一項目包含一開始位，記載所述相應缺陷位群中含有缺陷位的位集的開始位置；及一略過位范圍，記載所述相應缺陷位群的位集的長度。

12.如權利要求8所述的位級內存控制方法，在讀取數據時，略過所述位級卷標表所記載的缺陷位位置所儲存的錯誤數據，因而過濾該數據，并將正確數據搬移至所述內部緩沖器。

13.如權利要求12所述的位級內存控制方法，在寫入數據時，當數據的目標地址不符合所述位級卷標表時，則將所述內部緩沖器的數據搬移至所述非揮發性內存；當數據的目標地址符合所述位級卷標表時，則附加虛位以寫入至所述非揮發性內存。