[發明專利]一種用于太陽能電池的方形區熔硅單晶生產方法

無效

• 申請號: 201210010550.2
• 申請日: 2012-01-14
• 公開（公告）號: CN102560644A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 張雪囡;王彥君;王巖;高樹良;沈浩平
• 申請（專利權）人: 天津市環歐半導體材料技術有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B13/20;C30B13/30
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 莫琪

1.一種用于太陽能電池的方形區熔硅單晶生產方法，其特征在于：生產方形區熔硅單晶的熱系統采用的線圈為正方形線圈，正方形線圈形狀為銅質扁平狀方盤，正方形線圈的作用為調整電流分布，使得線圈表面電流路徑為正方形，從而使正方形線圈所產生的溫度分布的等溫線為正方形，正方形線圈中心為正方形孔，正方形線圈上有4條狹縫，4條狹縫分別位于正方形線圈的對角線上；其中一條狹縫延伸至線圈外部、另三條狹縫的長度為線圈對角線長度的0.2～0.3倍；所述方法包括如下次序步驟：

擴肩時逐漸以-1～-4rpm/min的速率逐漸關閉下軸轉速；

關閉下軸轉速時，需降低加熱線圈的功率和上軸速度；

擴肩需要緩慢擴肩，擴肩角度≤40°。