[發明專利]一種微探針陣列及其制作方法

有效

• 申請號: 201210008610.7
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102539849A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 羅棋;秦明;邰俊
• 申請（專利權）人: 南京瑞尼特微電子有限公司
• 主分類號: G01R1/067
• 分類號: G01R1/067;G01R1/073;B81C1/00
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 胡建華

1.一種微探針陣列，其特征在于，包括設有深孔的基板、位于基板上方的金屬探針陣列以及位于基板下方的背面引線；基板上、下表層以及深孔的側壁設有絕緣介質層，深孔內設有連接所述背面引線的金屬連接件；所述金屬探針陣列包括一組金屬探針，所述金屬探針兩端與基板連接，中部為懸空的懸臂平臺，懸臂平臺上設有針尖，所有針尖位于同一水平面高度上，所述金屬探針的一端連接所述金屬連接件。

2.根據權利要求1所述的一種微探針陣列，其特征在于，所述懸臂平臺為一層以上的臺階。

3.一種如權利要求1所述微探針陣列的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，將上下兩片硅片鍵合在一起形成SOI結構，兩片硅片中間設有絕緣介質層；

步驟2，在下層硅片上刻蝕出直達中間絕緣介質層的深孔，在上層硅片上刻蝕出與針尖高度相同深度的深槽；

步驟3，在上層硅片上表面和下層硅片下表面制作絕緣介質層，其中下層硅片的深孔的側壁上制作絕緣介質，上層硅片的深槽內填充滿絕緣介質；

步驟4，在下層硅片的深孔內填充金屬形成金屬連接件；

步驟5，根據所述深槽位置，對上層硅片表面進行第一次光刻并進行第一次硅的各向異性刻蝕以形成針尖狀臺階；

步驟6，進行第二次光刻及第二次的硅的各向異性刻蝕直到中間的絕緣介質層，以形成梯形臺階；

步驟7，對上層硅片的表面濺射金屬，之后光刻掉多余部分金屬形成微探針結構；

步驟8，對下層硅片的表面進行金屬淀積并光刻掉多余部分金屬形成背面引線；

步驟9，刻蝕掉中間的絕緣介質層以上的所有上層硅片以及深槽內的絕緣介質，從而釋放所有微探針結構構成微探針陣列；

步驟10，對微探針陣列進行退火處理。