[發明專利]靶及具備該靶的成膜裝置無效
| 申請號: | 201210008545.8 | 申請日: | 2012-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN102586745A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 巖田寬;金子博 | 申請(專利權)人: | 住友重機械工業株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/06;B22F3/10 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具備 裝置 | ||
1.一種靶,其通過夾具而被固定于保持部件上,其特征在于,
該靶為包含金屬粉體和熔點高于所述金屬熔點的金屬氧化物粉體的混合物在由下述公式表示的燒結溫度T下燒結而成的低氧化物燒結體,
t0<T<t1,
其中,在上述公式中,t0為所述金屬的熔點,t1為所述金屬氧化物的熔點或升華點。
2.如權利要求1所述的靶,其特征在于,
所述金屬為Zn、Sn、Pb、Bi、In、Al及Ga中的任一種。
3.如權利要求1或2所述的靶,其特征在于,
所述燒結體的與接觸于所述保持部件的接觸面平行的面內方向上的外側端部與中央部相比,所述金屬相對于所述金屬氧化物的成分比例較高。
4.如權利要求1~3中任一項所述的靶,其特征在于,
所述燒結體的體積電阻率為0.05Ω·m以下。
5.如權利要求1~4中任一項所述的靶,其特征在于,
所述燒結體的燒結相對密度為90%以上。
6.如權利要求1~5中任一項所述的靶,其特征在于,
構成所述金屬氧化物的金屬元素為Zn。
7.一種成膜裝置,其特征在于,其通過將靶中所含的成膜材料附著于基板上來進行成膜,具備:
真空容器、
在所述真空容器內保持權利要求1~6中任一項所述的靶的保持部件、固定所述靶和所述保持部件的夾具。
8.如權利要求7項所述的成膜裝置,其特征在于,
所述保持部件與所述靶之間配置有與所述保持部件及所述靶的相互對置的面接觸的熱傳導性薄膜部件。
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