[發明專利]化合物半導體器件

有效

• 申請號: 201210007524.4
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN102651386A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 多木俊裕
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/778
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種化合物半導體器件，包括：

包括載流子傳輸層和載流子供給層的氮化物半導體堆疊結構；

設置在所述氮化物半導體堆疊結構上方的源電極和漏電極；

設置在所述氮化物半導體堆疊結構上方、在所述源電極和所述漏電極之間的柵電極；

至少部分地設置在所述柵電極和所述漏電極之間的場板；和

在所述氮化物半導體堆疊結構上方形成的多個絕緣膜，

其中所述多個絕緣膜的界面數目在所述場板和所述漏電極之間小于在所述柵電極附近。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中所述多個絕緣膜包括：設置在所述氮化物半導體堆疊結構和所述柵電極之間的柵極絕緣膜、以及覆蓋表面的保護絕緣膜，并且所述保護絕緣膜在所述場板和所述漏電極之間與所述氮化物半導體堆疊結構接觸，并且在所述柵電極附近與所述柵極絕緣膜接觸。

3.根據權利要求2所述的化合物半導體器件，其中所述保護絕緣膜包括多個保護絕緣膜，并且所述多個保護絕緣膜的最上側保護絕緣膜在所述場板和所述漏電極之間與所述氮化物半導體堆疊結構接觸，并且所述多個保護絕緣膜的最下側保護絕緣膜在所述柵電極附近與所述柵極絕緣膜接觸。

4.根據權利要求2所述的化合物半導體器件，其中所述保護絕緣膜包括多個保護絕緣膜，并且所述多個保護絕緣膜的最上側保護絕緣膜在所述場板和所述漏電極之間與所述柵極絕緣膜接觸，并且所述多個保護絕緣膜的最下側保護絕緣膜在所述柵電極附近與所述柵極絕緣膜接觸。

5.一種化合物半導體器件，包括：

包括載流子傳輸層和載流子供給層的氮化物半導體堆疊結構；

設置在所述氮化物半導體堆疊結構上方的源電極和漏電極；

設置在所述氮化物半導體堆疊結構上方、在所述源電極和所述漏電極之間的柵電極；

至少部分地設置在所述柵電極和所述漏電極之間的場板；和

在所述氮化物半導體堆疊結構上方形成的多個絕緣膜，

其中位于所述場板和所述漏電極之間并且與所述氮化物半導體堆疊結構接觸的所述多個絕緣膜的的絕緣膜的膜厚度大于位于所述場板和所述氮化物半導體堆疊結構之間的絕緣膜的總膜厚度。

6.根據權利要求5所述的化合物半導體器件，其中位于所述場板和所述氮化物半導體堆疊結構之間的所述絕緣膜包括：設置在所述氮化物半導體堆疊結構和所述柵電極之間的柵極絕緣膜、以及覆蓋表面的保護絕緣膜。

7.根據權利要求5所述的化合物半導體器件，其中位于所述場板和所述氮化物半導體堆疊結構之間的所述絕緣膜包括：設置在所述氮化物半導體堆疊結構和所述柵電極之間的柵極絕緣膜。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的化合物半導體器件，其中所述氮化物半導體堆疊結構還包括蓋層，并且所述蓋層制成為在所述場板和所述漏電極之間薄于在所述柵電極附近。

9.根據權利要求8所述的化合物半導體器件，其中所述蓋層是與所述載流子供給層的上側接觸并且晶格常數大于所述載流子供給層的晶格常數的半導體層。

10.根據權利要求8所述的化合物半導體器件，其中所述蓋層包括：第一半導體層、以及與所述第一半導體層的上側接觸的第二半導體層，并且所述第二半導體層的晶格常數大于所述第一半導體層的晶格常數。

11.一種化合物半導體器件，包括：

包括載流子傳輸層、載流子供給層和蓋層的氮化物半導體堆疊結構；

設置在所述氮化物半導體堆疊結構上方的源電極和漏電極；

設置在所述氮化物半導體堆疊結構上方、在所述源電極和所述漏電極之間的柵電極；

至少部分地設置在所述柵電極和所述漏電極之間的場板；和

在所述氮化物半導體堆疊結構上方形成的多個絕緣膜，

其中所述蓋層制成為在所述場板和所述漏電極之間薄于在所述柵電極附近。