[發明專利]用于超高壓晶片的靜電放電保護電路有效
| 申請號: | 201210004433.5 | 申請日: | 2012-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN103178510A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發明(設計)人: | 鄧志輝;林欣逸;任永星 | 申請(專利權)人: | 盛群半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/04 | 分類號: | H02H9/04 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;呂俊清 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 超高壓 晶片 靜電 放電 保護 電路 | ||
1.一種用于超高壓晶片的靜電放電保護電路,耦接一電位轉換電路,并通過該電位轉換電路耦接一接地端,該靜電放電保護電路包括:
一電源箝制模塊,耦接于一第一高壓端與一第一低壓端之間,用以自該第一高壓端或該第一低壓端偵測一靜電放電電流,據以產生一控制信號;以及
至少一開關模塊,該開關模塊包括:
一第一電阻,耦接于該第一高壓端與該電位轉換電路之間;以及
一第一功率半導體元件,并聯耦接該第一電阻,受控于該控制信號以選擇性地導通一第一電流傳輸路徑,使得該第一高壓端通過該第一電流傳輸路徑電性連接至該電位轉換電路;
其中該第一低壓端與該接地端的電位差大于一第一電壓臨界值。
2.如權利要求1所述的靜電放電保護電路,其中該靜電放電保護電路與該電位轉換電路是經由同一半導體工藝形成于同一超高壓晶片中。
3.如權利要求2所述的靜電放電保護電路,其中該超高壓晶片中還包括一柵極驅動器,且該柵極驅動器與該靜電放電保護電路位于同一高電壓隔離阱區中,且該柵極驅動器耦接于該第一高壓端與該第一低壓端之間。
4.如權利要求3所述的靜電放電保護電路,還包括:
至少一二極管,耦接于該第一高壓端與該第一低壓端之間,用以提供該第一低壓端至該第一高壓端的一第二電流傳輸路徑;
其中該柵極驅動器具有多個傳輸界面,該多個傳輸界面中至少一個傳輸界面耦接該第一高壓端,以及該多個傳輸界面中至少一個傳輸界面耦接該第一低壓端。
5.如權利要求4所述的靜電放電保護電路,其中該多個傳輸界面分別耦接一電器設備,該柵極驅動器通過該多個傳輸界面驅動該電器設備,且該電器設備操作于一工作電壓區間中,該第一電壓臨界值為該工作電壓區間的下限。
6.如權利要求1所述的靜電放電保護電路,其中該第一功率半導體元件的控制極耦接該電源箝制模塊以接收該控制信號,該第一功率半導體元件的第一電極耦接該第一高壓端,且該第一功率半導體元件的第二電極耦接該電位轉換電路。
7.如權利要求6所述的靜電放電保護電路,其中該第一功率半導體元件為功率金氧半晶體管、雙載子晶體管或硅控整流器。
8.如權利要求6所述的靜電放電保護電路,其中該電源箝制模塊至少包括一第二電阻與一第一電容,該第二電阻與該第一電容耦接于該第一高壓端與該第一低壓端之間,且該第二電阻通過一第一節點串聯耦接該第一電容,該電源箝制模塊偵測該第一節點上的電位變化量,據以產生該控制信號。
9.如權利要求1所述的靜電放電保護電路,還包括:
至少一第二功率半導體元件,該第二功率半導體元件的控制極耦接該第一低壓端,該第二功率半導體元件的第一電極耦接該第一高壓端,且該第二功率半導體元件的第二電極耦接該電位轉換電路。
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