[發明專利]制造發光二極管的方法和由此制造的發光二極管

有效

• 申請號: 201210001662.1
• 申請日: 2012-01-05
• 公開（公告）號: CN102593279A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 李東柱;李憲昊;沈炫旭;金榮善
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

1.一種制造發光二極管的方法，所述方法包括：

在第一反應室中在基底上順序地生長第一導電類型氮化物半導體層和未摻雜氮化物半導體層；

將其上生長有第一導電類型氮化物半導體層和未摻雜氮化物半導體層的基底轉移至第二反應室；

在第二反應室中在未摻雜氮化物半導體層上生長附加第一導電類型氮化物半導體層；

在附加第一導電類型氮化物半導體層上生長有源層；以及

在有源層上生長第二導電類型氮化物半導體層。

2.如權利要求1所述的方法，其中，在將基底轉移至第二反應室的過程中，未摻雜氮化物半導體層的部分暴露到空氣。

3.如權利要求1所述的方法，其中，在第二反應室中執行有源層和第二導電類型氮化物半導體層的生長。

4.如權利要求1所述的方法，其中，在第二反應室中執行有源層的生長，并且生長第二導電類型氮化物半導體層包括：

將其上生長有有源層的基底轉移至第三反應室；以及

在第三反應室中在有源層上生長第二導電類型氮化物半導體層。

5.如權利要求1所述的方法，其中，生長有源層包括：

將其上生長有附加第一導電類型氮化物半導體層的基底轉移至第三反應室；以及

在第三反應室中在附加第一導電類型氮化物半導體層上生長有源層。

6.如權利要求5所述的方法，其中，生長第二導電類型氮化物半導體層包括：

將其上生長有有源層的基底轉移至第四反應室；以及

在第四反應室中在有源層上生長第二導電類型氮化物半導體層。

7.如權利要求1所述的方法，其中，第一導電類型氮化物半導體層和附加第一導電類型氮化物半導體層由相同的材料形成。

8.如權利要求1所述的方法，其中，第一導電類型氮化物半導體層和附加第一導電類型氮化物半導體層由n型GaN形成，未摻雜氮化物半導體層由未摻雜GaN形成。

9.一種發光二極管，所述發光二極管包括：

第一導電類型氮化物半導體層和第二導電類型氮化物半導體層；

有源層，設置在第一導電類型氮化物半導體層和第二導電類型氮化物半導體層之間；以及

未摻雜氮化物半導體層，設置在第一導電類型氮化物半導體層內以沿厚度方向將第一導電類型氮化物半導體層分成兩個區域。

10.如權利要求9所述的發光二極管，其中，第一導電類型氮化物半導體層由n型GaN形成，未摻雜氮化物半導體層由未摻雜GaN形成。