[發明專利]光電轉換元件以及具備該元件的太陽電池

無效

• 申請號: 201180059140.0
• 申請日: 2011-12-08
• 公開（公告）號: CN103262253A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 河野哲夫;加賀洋史
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種光電轉換元件，在基板上依序層積有下部電極層、光電轉換半導體層、緩沖層、及透光性導電層，所述光電轉換半導體層以包含Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素的至少1種黃銅礦結構的化合物半導體作為主成分，所述光電轉換元件的特征在于：

在所述緩沖層的所述透光性導電層側的表面備有羰離子；且

所述緩沖層為平均膜厚10nm以上70nm以下包含三元化合物的薄膜層，所述三元化合物包含不含鎘的金屬、氧、以及硫。

2.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中

所述羰離子為具有多個羰基的羰離子。

3.根據權利要求1或2所述的光電轉換元件，其中

所述羰離子為檸檬酸離子。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的光電轉換元件，其中

所述羰離子吸附于所述表面。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的光電轉換元件，其中

所述緩沖層具有結晶質部與非晶質部。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的光電轉換元件，其中

所述緩沖層中的硫原子相對于硫原子與氧原子的合計摩爾數的摩爾比為0.3～0.6。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的光電轉換元件，其中

所述不含鎘的金屬為選自含有Zn、In、以及Sn的群組中的至少1種金屬，亦可包含不可避雜質。

8.根據權利要求7所述的光電轉換元件，其中

所述不含鎘的金屬為Zn。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的光電轉換元件，其中

所述基板包含可形成氫氧化物離子與錯合離子的金屬。

10.根據權利要求9所述的光電轉換元件，其中

所述基板為選自由如下的陽極氧化基板所組成的群組中的陽極氧化基板，即

在以Al作為主成分的Al基材的至少一個表面側形成有以Al₂O₃作為主成分的陽極氧化膜的陽極氧化基板；

在復合基材的至少一個表面側形成有以Al₂O₃作為主成分的陽極氧化膜的陽極氧化基板，所述復合基材是在以Fe作為主成分的Fe材的至少一個表面側復合著以Al作為主成分的Al材而成；以及

在基材的至少一個表面側形成有以Al₂O₃作為主成分的陽極氧化膜的陽極氧化基板，所述基材是在以Fe作為主成分的Fe材的至少一個表面側成膜以Al作為主成分的Al膜而成。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的光電轉換元件，其中

所述光電轉換半導體層的主成分為包含如下元素中的至少1種的化合物半導體，即

選自由Cu以及Ag所組成的群組中的至少1種的Ib族元素；

選自由Al、Ga以及In所組成的群組中的至少1種的IIIb族元素；以及

選自由S、Se、以及Te所組成的群組中的至少1種的VIb族元素。

12.一種太陽電池，其特征在于：包括如權利要求1至11中任一項所述的光電轉換元件。