[發明專利]具有金屬硫氧化物窗口層的光伏裝置

有效

• 申請號: 201180056075.6
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103348488A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 邵銳;馬庫思·格魯克勒爾;本雅明·布勒
• 申請（專利權）人: 第一太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/0296
• 分類號: H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/073;H01L31/074;H01L31/0749
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;劉奕晴

1.一種光伏裝置，所述光伏裝置包括：

基底；

MS_1-XO_X窗口層，形成在基底上方，其中，M是Zn；以及

吸收層，形成在基底上方。

2.如權利要求1所述的光伏裝置，其中，吸收層是CdTe。

3.如權利要求1所述的光伏裝置，其中，吸收層是CIGS。

4.如權利要求1所述的光伏裝置，其中，吸收層是無定形Si。

5.如權利要求1所述的光伏裝置，其中，MS_1-XO_X窗口層形成在基底與吸收層之間。

6.如權利要求1所述的光伏裝置，所述光伏裝置還包括設置在MS_1-XO_X窗口層與吸收層之間的CdS窗口層。

7.如權利要求1所述的光伏裝置，其中，MS_1-XO_X層相對于吸收層的導帶偏移處于從大約0eV至大約+0.4eV的范圍內。

8.一種光伏裝置，所述光伏裝置包括：

基底；

MS_1-XO_X窗口層，形成在基底上方，其中，M是Sn；以及

吸收層，形成在基底上方。

9.如權利要求8所述的光伏裝置，其中，吸收層是CdTe。

10.如權利要求8所述的光伏裝置，其中，吸收層是CIGS。

11.如權利要求8所述的光伏裝置，其中，吸收層是無定形Si。

12.如權利要求8所述的光伏裝置，其中，MS_1-XO_X層相對于吸收層的導帶偏移處于從大約0eV至大約+0.4eV的范圍內。

13.一種光伏裝置，所述光伏裝置包括：

基底；

MS_1-XO_X窗口層，形成在基底上方，其中，M是In；以及

吸收層，形成在基底上方。

14.如權利要求13所述的光伏裝置，其中，吸收層是CdTe。

15.如權利要求13所述的光伏裝置，其中，吸收層是CIGS。

16.如權利要求13所述的光伏裝置，其中，吸收層是無定形Si。

17.如權利要求13所述的光伏裝置，其中，MS_1-XO_X層相對于吸收層的導帶偏移處于從大約0eV至大約+0.4eV的范圍內。

18.一種制造光伏裝置的工藝，所述工藝包括：

在基底上方形成MS_1-XO_X窗口層，其中，M是Zn、Sn和In中的一種；

在基底上方形成吸收層。

19.如權利要求18所述的工藝，其中，通過濺射、蒸發沉積、CVD、化學浴沉積工藝和氣相傳輸沉積工藝中的至少一種來形成MS_1-XO_X層。

20.如權利要求18所述的工藝，其中，MS_1-XO_X層相對于吸收層的導帶偏移處于從大約0eV至大約+0.4eV的范圍內。

21.一種光伏裝置，所述光伏裝置包括：

基底；

MS_1-XO_X窗口層，通過濺射工藝、蒸發沉積工藝、CVD工藝、化學浴沉積工藝和氣相傳輸沉積工藝中的至少一種形成在基底上方，其中，M是由Zn、Sn和In組成的組中的元素；以及

吸收層，形成在基底上，其中，吸收層由CdTe、CIGS和無定形Si中的一種形成。

22.如權利要求21所述的光伏裝置，其中，MS_1-XO_X窗口層的濺射工藝是DC脈沖濺射、RF濺射和AC濺射中的一種。