[發明專利]用于晶片濕法處理的密閉室

有效

• 申請號: 201180051812.3
• 申請日: 2011-10-05
• 公開（公告）號: CN103180056A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 卡爾-海因茨·霍恩沃特
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: B08B3/00
• 分類號: B08B3/00
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

技術領域

本發明總體上涉及用于處理諸如半導體晶片等晶片狀物件的表面的裝置。

背景技術

半導體晶片經歷各種表面處理工藝，比如蝕刻、清潔、拋光和材料沉積。為了適應這樣的工藝，可相對于一或多個處理流體噴嘴由關聯于可旋轉載具的卡盤來支撐單個晶片，如例如美國專利No.4,903,717和No.5,513,668中所描述的。

隨著裝在半導體晶片上的設備的日益小型化，在含氧氛圍（atmosphere）中處理這些晶片變得越來越成問題。例如，當晶片在對周圍空氣開放的站中經受濕法處理時，空氣中的氧成分會在晶片的正面引起不希望的銅腐蝕。

因此，存在對這樣的晶片處理站的需要：其中的氣體氛圍可被控制，且允許在加載于處理模塊中的晶片上實施各種工藝。

在美國專利No.6,273,104中，圖6和7描繪了小于罐口從而不能密封該罐的噴頭。

在美國專利No.6,807,974和6,915,809中，氣體注入部件30被描述為只在晶片的干燥過程中提供密封的室，而在晶片的濕法處理過程中，大得多的外圍欄1是處理模塊和相關驅動機構的唯一隔離件。此外，這些專利的氣體注入部件30和液體注入部件4不能同時工作。

發明內容

本發明開發了一種改進的密閉室模塊，優選地被設計來用于單晶片濕法處理。在該密閉室模塊中，用于將媒質分配到晶片上的臂被安裝在該室內，且可從待命位置移動到服務位置。該密閉室模塊包括密封該室的可移動的上部蓋子，且其優選地還適于將氣體供應到該室中。

附圖說明

在讀過下面參考附圖給出的關于本發明優選實施方式的詳細描述之后，本發明的其它目的、特征和優點會變得更加明顯，其中：

圖1是根據本發明的密閉室模塊的優選實施方式的立體圖；

圖2是類似于圖1的視圖，其中噴頭蓋子已被向上移動且從該模塊移開，以便允許加載或卸載該模塊；

圖3是仰視圖1的實施方式的立體圖，示出了用于操作該模塊的各種機構；

圖4是圖1的實施方式的另一立體圖，在軸平面被切開，以便示出其內部部件；

圖5是圖1的實施方式的在跟圖4的平面相同的平面上的軸向截面；

圖6是圖1的實施方式的在貫穿媒質供應臂中的一個的樞轉裝置的平面上的軸向截面；

圖7是示出用于驅動和升高和降低該實施方式的旋轉卡盤的機構的截面圖；

圖8是圖1的實施方式的徑向截面，示出了處于待命位置的媒質供應臂；

圖9是媒質供應臂中的一個的樞轉裝置的局部立體圖；

圖10是圖1的實施方式的徑向截面，其中媒質供應臂中的一個已被樞轉到其服務位置；以及

圖11是圖1的實施方式的立體圖，其中上室蓋被移除。

具體實施方式

參考圖1，密閉室模塊10被安裝在底板15上，且由優選圓筒形的室壁30和環形的上室蓋32（upper?chamber?cover）構成，上室蓋32通過一些螺釘或者類似物被固定到室壁30。室模塊10在其上端被噴頭蓋子10（shower?head?lid）封閉，噴頭蓋子20在其外周密封到環形上室蓋30的內周。

蓋子20被固定到蓋臂22，蓋臂22將蓋子20從圖1中所示的閉合位置移動到圖2中所示的打開位置，且蓋臂22進而被安置在蓋支撐軸26上。氣體進給管線24供應氣體到噴頭蓋子20。

第一和第二驅動單元52、62針對下面將要描述的各自的媒質供應臂而提供，且通向用于媒質供應臂的樞轉運動機構的各自的蓋54、64。標記數字56表示用于第一媒質供應管線的導入端（lead-in）。

該實施方式的密閉室模塊具有三個內部位準（level），每一個位準具有相關的排氣裝置，在圖1中用標記數字82、84和86分別表示用于下、中和上位準的相關排氣裝置并用81、83和85表示針對這些排氣裝置的相關的下、中和上吸氣裝置。

現在參考圖2，該密閉室模塊在其打開位置被示出，這涉及相對于該室向上提升噴頭蓋子并使其圍繞蓋支撐軸26樞轉，蓋支撐軸26容納空心軸18。

在該室內部，可見旋轉卡盤70，在該實施方式中，卡盤70是雙面型卡盤。還可見處于待命位置的第二媒質供應臂63，以及上、中和下位準34、35、36。

在圖3中，噴頭區域25被示出在噴頭蓋子20的底面（underside）上，該區域除包括多個氣體開口之外還包括中心氣體噴嘴23。