[發明專利]芯片型陶瓷電子部件及其制造方法

有效

• 申請號: 201180050122.6
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103168332A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 大谷真史
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/252;H01G4/30
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王玉玲

1.一種芯片型陶瓷電子部件，其特征在于，

具備：

具備相對置的2個端面、和將所述2個端面間連結的4個側面的長方體形狀的陶瓷坯體，和

外部電極，所述外部電極按照從所述陶瓷坯體的、所述端面或所述側面中的一個面越過棱線部而蔓延至其他的面的方式加以配設，且蔓延至所述其他的面的部分的至少前端部由含有樹脂和導電成分的樹脂電極構成；

構成所述外部電極的樹脂電極的、蔓延至所述其他的面的部分的至少前端部，與所述陶瓷坯體接合，并且所述陶瓷坯體的表面的所述外部電極的所述前端部所接合的區域的十點平均粗糙度Rz1、與所述陶瓷坯體的表面的未形成所述外部電極的區域的十點平均粗糙度Rz2的關系滿足如下要件：

Rz1＞Rz2、

Rz1＞3.3μm、

Rz2＜3.2μm。

2.根據權利要求1所述的芯片型陶瓷電子部件，其特征在于，

所述陶瓷坯體具備內部電極，并且所述內部電極被引出到所述陶瓷坯體的規定的面，

所述外部電極按照從所述陶瓷坯體的引出了所述內部電極的面越過棱線部蔓延至其他的面的方式而形成。

3.根據權利要求1或2所述的芯片型陶瓷電子部件，其特征在于，

所述外部電極具備：

與所述陶瓷坯體的表面接合的下層電極，和

上層電極，所述上層電極以覆蓋所述下層電極的方式加以配設，且蔓延至所述其他的面的部分的至少所述前端部與所述陶瓷坯體的表面接合；

所述上層電極是所述樹脂電極。

4.根據權利要求3所述的芯片型陶瓷電子部件，其特征在于，

所述上層電極覆蓋所述下層電極的整體，并且所述上層電極的邊緣部的整體，到達比所述下層電極的邊緣部靠近外側的區域，直接接合于所述陶瓷坯體的表面。

5.根據權利要求3或4所述的芯片型陶瓷電子部件，其特征在于，

所述陶瓷坯體具備多個所述內部電極，并且規定的所述內部電極在所述陶瓷坯體的相對置的2個端面中的任一面露出，在所述端面形成有所述下層電極，由所述樹脂電極構成的所述上層電極覆蓋所述下層電極并且越過棱線部而蔓延至所述陶瓷坯體的所述側面，蔓延至所述側面的部分的至少前端部直接與所述陶瓷坯體接合。

6.根據權利要求3～5中任一項所述的芯片型陶瓷電子部件，其特征在于，

所述下層電極是通過對含有金屬粉末、玻璃粉末、有機粘合劑和有機溶劑的導電性糊料進行燒成而形成的燒結電極、或通過鍍敷而形成的鍍敷電極。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的芯片型陶瓷電子部件，其特征在于，

作為用于提高所述外部電極的表面的浸焊性的鍍敷膜層，形成有

(a)含有由鍍Ni膜形成的第1鍍敷膜層和形成于其上的由鍍Sn膜形成的第2鍍敷膜層的鍍敷膜層，或

(b)含有由鍍Ni膜形成的第1鍍敷膜層和形成于其上的由鍍Pb膜形成的第2鍍敷膜層的鍍敷膜層

中的任一鍍敷膜層。

8.一種芯片型陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，是用于制造權利要求1～7中任一項所述的芯片型陶瓷電子部件的方法，

作為用于形成所述陶瓷坯體的工序，具備：

通過將所述陶瓷坯體與含有研磨介質的漿料一起攪拌，從而對所述陶瓷坯體的表面整體進行研磨的工序，和

將在所述工序中進行了研磨后的所述陶瓷坯體的表面的、未形成所述外部電極的區域加以掩蔽，通過對露出的區域噴射研磨劑，從而將所述陶瓷坯體的應該形成所述外部電極的面加以粗面化的工序；

就所述陶瓷坯體而言，所述外部電極的所述前端部所接合的區域的十點平均粗糙度Rz1、與所述陶瓷坯體的表面的未形成所述外部電極的區域的十點平均粗糙度Rz2的關系滿足下述要件：

Rz1＞Rz2、

Rz1＞3.3μm、

Rz2＜3.2μm。