[發明專利]含氮芳香族化合物、有機半導體材料及有機電子器件

有效

• 申請號: 201180049368.1
• 申請日: 2011-10-03
• 公開（公告）號: CN103154005A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 澤田雄一;堀田正則;松本惠
• 申請（專利權）人: 新日鐵住金化學株式會社
• 主分類號: C07D519/00
• 分類號: C07D519/00;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/50
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周欣;陳建全

1.一種含氮芳香族化合物，其以通式（1）表示，

式（1）中，L表示m+n價的碳原子數為6～30的芳香族烴基或不含4環以上的稠合雜環的碳原子數為3～30的芳香族雜環基、碳原子數為9～30的由三芳基胺生成的基團、或碳原子數為6～24的由二芳基砜生成的基團；X表示N-A、O、S或Se，A分別獨立地表示碳原子數為1～30的烷基、碳原子數為3～30的環烷基、碳原子數為2～30的鏈烯基、碳原子數為2～30的炔基、碳原子數為3～18的硅烷基、碳原子數為2～19的酰基、碳原子數為6～50的芳香族烴基或不含4環以上的稠合雜環的碳原子數為3～50的芳香族雜環基；R分別獨立地表示氫、碳原子數為1～30的烷基、碳原子數為3～30的環烷基、碳原子數為2～30的鏈烯基、碳原子數為2～30的炔基、碳原子數為6～30的芳香族烴基或不含4環以上的稠合雜環的碳原子數為3～30的芳香族雜環基；m表示1～4的整數，n表示0～3的整數，m與n的總數為2～4。

2.根據權利要求1所述的含氮芳香族化合物，其中，通式（1）中，n為0。

3.根據權利要求1所述的含氮芳香族化合物，其特征在于，通式（1）中，X為N-A。

4.根據權利要求1所述的化合物，其特征在于，通式（1）中，m為2或3。

5.一種有機半導體材料，其特征在于，其含有權利要求1～4中任一項所述的含氮芳香族化合物。

6.一種有機半導體薄膜，其特征在于，其是由權利要求5所述的有機半導體材料形成的。

7.一種有機電子器件，其特征在于，其使用了權利要求5所述的有機半導體材料。

8.根據權利要求7所述的有機電子器件，其中，該有機電子器件為發光元件、薄膜晶體管、或光伏元件中的任一者。

9.根據權利要求8所述的有機電子器件，其中，所述發光元件為有機場致發光元件。