[發明專利]半導體器件的制備方法

有效

• 申請號: 201180042743.X
• 申請日: 2011-08-30
• 公開（公告）號: CN103081064A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 金海元;禹相浩;趙星吉;張吉淳
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: H01L21/24
• 分類號: H01L21/24;C23C14/16;C01B33/06
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 王媛;鐘守期

1.一種半導體器件的制備方法，所述方法包括如下步驟：

在形成有多晶硅圖案的基底上形成絕緣層使得多晶硅圖案露出；

相對于絕緣層，在所述露出的多晶硅圖案上選擇性地形成硅晶種層；

在形成有所述硅晶種層的所述基底上形成金屬層；以及

通過對形成有所述金屬層的所述基底進行熱處理，形成金屬硅化物層。

2.權利要求1的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括如下步驟：

在形成所述硅晶種層的步驟之前，用含有氫基的溶液對形成有所述絕緣層的基底進行預處理。

3.權利要求2的半導體器件的制備方法，其特征在于，

在所述進行預處理的步驟中，將氫原子鍵合在露出于所述基底上的絕緣層和多晶硅圖案上。

4.權利要求2的半導體器件的制備方法，其特征在于，

所述含有氫基的溶液為選自HF、稀釋的氫氟酸(DHF)、緩沖的氧化物刻蝕劑(BOE)溶液中的一種或多種溶液。

5.權利要求1的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述絕緣層的步驟包括如下步驟：

在基底上形成多晶硅圖案；

在所述基底上形成絕緣材料以覆蓋所述多晶硅圖案；以及

移除部分所述絕緣材料以使所述多晶硅圖案露出。

6.權利要求1的半導體器件的制備方法，其特征在于，

在形成所述硅晶種層的步驟中，向裝載有所述基底的腔室內部提供選自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈和Si₄H₁₀中的一種或多種原料氣。

7.權利要求6的半導體器件的制備方法，其特征在于，

在形成所述硅晶種層的步驟中，將所述基底保持在500℃至650℃的溫度。

8.權利要求6的半導體器件的制備方法，其特征在于，

在形成所述硅晶種層的步驟中，所述腔室內部的壓力保持為5Torr至20Torr。

9.權利要求1的半導體器件的制備方法，其特征在于，

所述金屬層為選自Ti、Co和Ni中的一種或多種金屬。

10.權利要求1的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括如下步驟：

在形成所述金屬硅化物層的步驟之后，移除殘留的金屬層。

11.權利要求3的半導體器件的制備方法，其特征在于，

所述絕緣層由氧化物或氮化物形成。

12.權利要求10的半導體器件的制備方法，其特征在于，

在形成所述硅晶種層的步驟中，在鍵合在所述絕緣層和多晶硅圖案上的氫原子中，用硅原子選擇性地僅取代鍵合在所述多晶硅上的氫原子。

13.權利要求12的半導體器件的制備方法，其特征在于，

在形成所述硅晶種層的步驟中，通過利用氫和氧或氫和氮、與氫和硅之間的鍵能之差，在所述露出的多晶硅圖案上選擇性地形成所述硅晶種層。