[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)印用施主基板及使用其的器件的制造方法、及有機(jī)EL元件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180035007.1
• 申請(qǐng)日: 2011-07-12
• 公開（公告）號(hào): CN103004291A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梅原正明;谷村寧昭;藤森茂雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東麗株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05B33/10
• 分類號(hào): H05B33/10;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/22
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;王大方

1.一種轉(zhuǎn)印用施主基板，包括基板和形成在所述基板上的光熱轉(zhuǎn)換層，其特征在于，所述光熱轉(zhuǎn)換層的表面為粗糙面。

2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印用施主基板，其中，所述光熱轉(zhuǎn)換層的表面的算術(shù)平均粗糙度為30nm以上。

3.如權(quán)利要求1或2所述的轉(zhuǎn)印用施主基板，其中，所述基板的形成光熱轉(zhuǎn)換層一側(cè)的表面的算術(shù)平均粗糙度為30nm以上。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印用施主基板，其中，表面的凹凸平均間隔為20μm以下。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印用施主基板，其中，在所述光熱轉(zhuǎn)換層的上表面形成有分區(qū)圖案。

6.一種器件的制造方法，包括下述工序：

使權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印用施主基板與器件基板對(duì)置的工序；及

通過(guò)對(duì)所述光熱轉(zhuǎn)換層照射光，將轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到所述器件基板上的工序。

7.一種有機(jī)EL元件，具有有機(jī)化合物層，所述有機(jī)化合物層包括被夾持在至少一對(duì)電極間的發(fā)光層，有機(jī)化合物層的至少一部分是使用轉(zhuǎn)印法形成的，其特征在于，子像素的絕緣層的寬度小于40μm，并且子像素內(nèi)的發(fā)光區(qū)域的發(fā)光亮度不均為±20％以下。

8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL元件，其中，所述子像素的絕緣層的寬度為30μm以下。

9.一種有機(jī)EL元件，具有有機(jī)化合物層，所述有機(jī)化合物層包括被夾持在至少一對(duì)電極間的發(fā)光層，有機(jī)化合物層的至少一部分是使用轉(zhuǎn)印法形成的，其特征在于，子像素的絕緣層的寬度小于40μm，并且使用轉(zhuǎn)印法形成的有機(jī)化合物層中，子像素內(nèi)的發(fā)光區(qū)域的膜厚不均為±10％以下。

10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)EL元件，其中，所述子像素的絕緣層的寬度為30μm以下。