[發明專利]液處理裝置和液處理方法有效
| 申請號: | 201180034562.2 | 申請日: | 2011-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN102986003A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 瀧口靖史;山本太郎;山畑努;藤本昭浩;藤村浩二 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;B05C11/08;B05D1/26;B05D1/40;G03F7/30 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及將藥液從噴嘴供給至基板的表面進行處理的液處理裝置和液處理方法。
背景技術
在半導體制造工序中,存在將藥液供給至基板的表面進行處理的工序。例如設置于用于抗蝕劑圖案形成的涂敷、顯影裝置的顯影處理裝置構成為,在設置于形成處理區域的杯(cup)內的基板保持部上水平地保持基板,并從噴嘴供給作為藥液的顯影液。將顯影液供給至基板之后,為了利用顯影液使抗蝕劑膜的溶解性部位溶解,靜止所需的時間,例如數十秒。
作為將顯影液涂敷在基板的表面的方法,已知以下方法等:
(1)使噴嘴沿著基板的表面進行掃描的方法,上述噴嘴具有跨基板的有效區域的寬度以上的長度而形成的排出口;
(2)在使基板旋轉的狀態下,一邊從具有由長度尺寸為數厘米左右的狹縫(slit)構成的排出口的噴嘴排出顯影液,一邊使該噴嘴從基板的一周邊緣部移動至中央部的方法。
但是,逐漸要求涂敷、顯影裝置具有更高的吞吐量(throughput,生產量),例如一個小時處理240個。而且,還要求防止基板的污染,抑制部件數以使裝置簡化等。
在此,專利文獻1中記載有,左右排列有兩個杯,在這些杯的排列的兩側設置有待機容器(pot),通過一個顯影液噴嘴對被搬入至兩個杯的基板供給顯影液的裝置。另外該裝置中,對每個杯配置有洗滌用的純水噴嘴,該純水噴嘴轉動自如。
另外,專利文獻2中記載有使顯影液噴嘴在兩個杯的中央待機的構成。
但是,專利文獻1、2中都沒有考慮根據基板的類別(lot:批),而藥液的供給方法不同的情況。另外,在如專利文獻1那樣的構成中,由于根據基板的搬入的時機(timing,定時),顯影液噴嘴跨靜止顯影中的基板而移動,于是顯影液有可能從顯影液噴嘴滴流到該基板上引起顯影缺陷。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2002-100556號公報:圖1
專利文獻2:日本特開平4-118074號公報:第2圖
發明內容
發明要解決的課題
本發明是在這種背景下完成的,其目的在于,提供一種能夠抑制藥液用的噴嘴的數目并且以高的吞吐量進行處理的液處理裝置和液處理方法。
用于解決課題的技術方案
本發明的液處理裝置,其特征在于,包括:
并排的第一處理區域和第二處理區域,用于水平配置各個基板并利用來自噴嘴的藥液進行處理;
第一單獨噴嘴和第二單獨噴嘴,分別對應于上述第一處理區域和第二處理區域單獨設置,將藥液供給至基板的整個表面;
第一單獨噴嘴搬送機構和第二單獨噴嘴搬送機構,用于在待機位置和各處理區域的藥液排出位置之間分別搬送上述第一單獨噴嘴和第二單獨噴嘴;
共用噴嘴,為了對上述基板供給藥液而被上述第一處理區域和第二處理區域共同使用;
共用噴嘴搬送機構,在待機位置、上述第一處理區域的藥液排出位置和上述第二處理區域的藥液排出位置之間搬送該共用噴嘴;和
控制部,控制第一單獨噴嘴搬送機構、第二單獨噴嘴搬送機構和共用噴嘴搬送機構,
上述控制部控制各噴嘴搬送機構,使得上述共用噴嘴被約束在各處理區域的時間比上述單獨噴嘴被約束在各處理區域的時間短。
本發明的液處理方法為用于在各個并排的第一處理區域和第二處理區域中水平配置基板,并利用來自噴嘴的藥液進行處理的液處理方法,其特征在于,包括:
將一個批次的多個基板一個一個地交替搬入至第一處理區域和第二處理區域;
將對應于上述第一處理區域單獨設置的第一單獨噴嘴從待機位置搬送至上述第一處理區域的藥液排出位置,將藥液供給至上述一個批次的一個基板的整個表面來進行處理;
將對應于上述第二處理區域單獨設置的第二單獨噴嘴搬送至上述第二處理區域的藥液排出位置,將藥液供給至上述一個批次的另外的基板的整個表面來進行處理;
將另一個批次的多個基板一個一個地交替搬入至上述第一處理區域和第二處理區域;
將上述第一處理區域和上述第二處理區域中共用的共用噴嘴從待機位置搬送至第一處理區域的藥液排出位置,將藥液供給至上述另一個批次的一個基板;和
將上述共用噴嘴搬送至上述第二處理區域的藥液排出位置,將藥液供給至上述另一個批次的另外的基板,
上述共用噴嘴被約束于各處理區域的時間比上述單獨噴嘴被約束于各處理區域的時間短。
發明效果
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





