[發(fā)明專利]電子元器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180032261.6
• 申請(qǐng)日: 2011-05-12
• 公開（公告）號(hào): CN102960075A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森隆浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02;H01P5/18;H05K3/46
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 邱忠貺

1.一種電子元器件，其特征在于，具備：

層疊體，該層疊體通過對(duì)多個(gè)絕緣體層進(jìn)行層疊而構(gòu)成，且具有與層疊方向平行的安裝面；

電路元件，該電路元件設(shè)在所述層疊體；以及

方向識(shí)別標(biāo)記，該方向識(shí)別標(biāo)記通過使導(dǎo)通孔填充部從與所述安裝面平行的所述層疊體的上面露出而構(gòu)成，該導(dǎo)通孔填充部由向設(shè)在所述絕緣體層的導(dǎo)通孔填充與所述絕緣體層不同的材料而構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，

所述導(dǎo)通孔填充部由與構(gòu)成所述電路元件的導(dǎo)體相同的材料構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，

所述絕緣體層由電介質(zhì)材料構(gòu)成；

所述導(dǎo)通孔填充部由與所述絕緣體層的電介質(zhì)材料不同的電介質(zhì)材料構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，

所述電路元件是定向耦合器，該定向耦合器由主線路及與該主線路電磁耦合的副線路構(gòu)成。

5.一種電子元器件的制造方法，是權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電子元器件的制造方法，其特征在于，具備：

第1步驟，準(zhǔn)備設(shè)有導(dǎo)通孔填充區(qū)域的母層疊體，該導(dǎo)通孔填充區(qū)域由向?qū)滋畛渑c所述絕緣體層不同的材料而構(gòu)成；以及

第2步驟，將所述母層疊體裁切而獲得所述層疊體；

在該第2步驟，將所述導(dǎo)通孔填充區(qū)域進(jìn)行分割來制作所述導(dǎo)通孔填充部。