[發(fā)明專利]處理多層膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180017239.4 | 申請日： | 2011-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN102892920A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | C·M·A·赫勒;A·R·杜加爾;D·J·科伊爾;嚴(yán)旻;A·G·埃爾拉特;趙日安 | 申請（專利權(quán)）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | C23C16/40 | 分類號： | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/04;C23C26/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周李軍;林森 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 處理 多層 方法 | ||
1.一種處理多層膜的方法，所述方法包括：
提供具有基底膜第一表面和基底膜第二表面的基底膜；
提供鄰近所述基底膜第二表面的阻擋層，所述阻擋層具有至少一個能讓基底膜和阻擋層外表面之間流體連接的開口；
將基底膜第一表面暴露于第一反應(yīng)物；以及
將所述阻擋層外表面暴露于第二反應(yīng)物，所述第二反應(yīng)物與所述第一反應(yīng)物可反應(yīng)；
其中，所述將基底膜第一表面暴露于所述第一反應(yīng)物和將所述阻擋層外表面暴露于第二反應(yīng)物在所述第一反應(yīng)物和所述第二反應(yīng)物之間的反應(yīng)形成反應(yīng)層的條件下進行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)層的形成堵塞所述阻擋層中的開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中阻擋層中的至少一個開口是針孔瑕疵或裂縫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基底膜包括熱塑性塑料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述阻擋層包括零價金屬，所述零價金屬選自金、銀和鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中阻擋層材料選自金屬、氮化物、有機材料、無機材料和陶瓷材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述將基底膜第一表面暴露于第一反應(yīng)物，以及所述將所述阻擋層外表面暴露于第二反應(yīng)物，同步進行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述將基底膜第一表面與第一反應(yīng)物接觸，以及所述將阻擋層外表面與第二反應(yīng)物接觸，非同步進行。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物選自水、硫、硒、碲、氧、醇、氨、或非金屬的氫化物或硫化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二反應(yīng)物是原硅酸鹽。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二反應(yīng)物選自金屬鹵化物、金屬烷基化合物、金屬醇鹽、原硅酸鹽、金屬β-二酮化合物、金屬環(huán)戊二烯化合物、金屬羧酸鹽、金屬羰基化合物、金屬氫化物、金屬烷基酰胺或甲硅烷基酰胺、或二元金屬化合物、或它們的組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基底膜是有機膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包括加入有機金屬化合物用于所述第一反應(yīng)物對基底膜和阻擋層的粘合。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包括為第一反應(yīng)物和第二反應(yīng)物之間的反應(yīng)提供最佳溫度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包括從選自超聲系統(tǒng)、等離子體源和紫外線輻射源的來源為反應(yīng)提供附加能量。
16.一種在基底膜上形成反應(yīng)層的方法，所述方法包括：
提供具有第一外表面和第二外表面的基底膜；
將第一外表面暴露于第一反應(yīng)物；以及
將基底膜的第二外表面暴露于第二反應(yīng)物，所述第二反應(yīng)物與所述第一反應(yīng)物可反應(yīng)形成反應(yīng)層；
其中所述基底膜可透過第一反應(yīng)物，允許所述第一反應(yīng)物和所述第二反應(yīng)物在基底膜的第二外表面上反應(yīng)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述基底膜包括熱塑性塑料。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述方法還包括提供多個鄰近基底膜的阻擋層。
19.一種在基底膜上形成反應(yīng)層的方法，所述方法包括：
提供具有第一外表面和第二外表面的基底膜；
使基底膜浸透第一反應(yīng)物；以及
將浸透的基底膜的第一外表面或第二外表面暴露于第二反應(yīng)物，所述第二反應(yīng)物與所述第一反應(yīng)物可反應(yīng)形成反應(yīng)層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述方法包括將浸透的基底膜的第一外表面和第二外表面兩者暴露于第二反應(yīng)物，所述第二反應(yīng)物與所述第一反應(yīng)物可反應(yīng)形成反應(yīng)層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
