[發明專利]熱電材料、以及包括該熱電材料的熱電模塊和熱電裝置有效
| 申請號: | 201180017150.8 | 申請日: | 2011-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN102822090A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發明(設計)人: | 李鍾洙;李相睦 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | C01B19/00 | 分類號: | C01B19/00;C22C1/04;C22C28/00;H01L35/16 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 金擬粲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱電 材料 以及 包括 模塊 裝置 | ||
1.一種熱電材料,其包括:
以下式1表示的化合物:
式1
(R1-aR’a)(T1-bT’b)3±y
其中R和R’彼此不同,且R和R’各自包括選自稀土元素和過渡金屬中的至少一種元素,
T和T’彼此不同,且T和T’各自包括選自硫、硒、碲、磷、砷、銻、鉍、碳、硅、鍺、錫、硼、鋁、鎵和銦中的至少一種元素,
0≤a≤1,
0≤b≤1,以及
0≤y<1。
2.權利要求1的熱電材料,其中所述式1表示的化合物具有包括二維層狀結構的結構。
3.權利要求1的熱電材料,其中所述式1的化合物具有包括介于阻擋層之間的基本上由T構成的雙層的結構,且各阻擋層基本上由R和T構成。
4.權利要求1的熱電材料,其中R和R’中的任意一個包括稀土元素。
5.權利要求1的熱電材料,其中T和T’中的任意一個包括選自S、Se和Te中的至少一種元素。
6.權利要求1的熱電材料,其中a為0至約0.5。
7.權利要求1的熱電材料,其中b為0至約0.5。
8.權利要求1的熱電材料,其中y為0至約0.5。
9.權利要求1的熱電材料,其中所述式1表示的化合物為以下式2表示的化合物:
式2
(R1-a’R’a’)(T1-b’T’b’)3-y’
其中
R為稀土元素,
R’為過渡金屬,
T為選自S、Se和Te中的至少一種元素,
T’包括選自P、As、Sb、Bi、C、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga和In中的至少一種元素,
0≤a’≤1,
0≤b’≤1,以及
0≤y’≤1。
10.權利要求9的熱電材料,其中y’等于或大于0且小于或等于約0.5。
11.權利要求1的熱電材料,其中所述式1表示的化合物具有多晶結構或單晶結構。
12.權利要求1的熱電材料,其中所述熱電材料在300開具有約3.5瓦/米·開或更小的熱導率。
13.權利要求1的熱電材料,其中所述熱電材料在300開具有約5微伏/開或更大的塞貝克系數。
14.權利要求1的熱電材料,其中所述熱電材料在300開具有約0.05或更大的性能指標。
15.權利要求1的熱電材料,
其中R’包括R’1和R’2,且R’1和R’2具有約1:9至約9:1的摩爾比,以及
其中T’包括T’1和T’2,且T’1和T’2具有約1:9至約9:1的摩爾比。
16.一種熱電模塊,其包括:
第一電極、第二電極以及介于所述第一電極和第二電極之間的熱電元件,其中所述熱電元件包括權利要求1的熱電材料。
17.一種熱電裝置,其包括:
供熱構件;和
熱電模塊,該熱電模塊包括:
從所述供熱構件吸收熱的熱電元件;
接觸所述熱電元件的第一電極;和
面對所述第一電極且接觸所述熱電元件的第二電極,其中
所述熱電元件包括權利要求1的熱電材料。
18.一種制造熱電材料的方法,該方法包括:
結合第一材料和第二材料以形成結合物;和
熱處理所述結合物以形成所述熱電材料,
其中
所述第一材料包括R和R’,R和R’彼此不同,且R和R’各自包括選自稀土元素和過渡金屬中的至少一種元素,
所述第二材料包括T和T’,T和T’彼此不同,且T和T’各自包括選自硫、硒、碲、磷、砷、銻、鉍、碳、硅、鍺、錫、硼、鋁、鎵和銦中的至少一種元素,以及
R和R’之和與T和T’之和的摩爾比為約1:2至約1:4。
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