[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180017076.X
• 申請(qǐng)日: 2011-03-28
• 公開（公告）號(hào): CN102823002A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木島直人;橫尾敏明;勝本覺成;樹神弘也;與安史子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/50
• 分類號(hào): H01L33/50
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種發(fā)光裝置，其構(gòu)成為具有半導(dǎo)體發(fā)光元件和熒光體層，該發(fā)光裝置的特征在于，

（i）所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出具有350nm以上520nm以下的波長(zhǎng)的光，

（ii）所述熒光體層包含熒光體，該熒光體能夠被所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)而發(fā)出波長(zhǎng)比所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光更長(zhǎng)的光，

（iii）所述熒光體層含有體積填充率為15%以上的所述熒光體，

（iv）在所述熒光體層中，所述熒光體的體積基準(zhǔn)的平均粒徑D_v與個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的平均粒徑D_n之比（D_v/D_n）為1.2以上25以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述熒光體層具有所述熒光體的體積基準(zhǔn)的中位直徑D_50v的2倍以上10倍以下的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述熒光體的所述體積基準(zhǔn)的中位直徑D_50v為2μm以上30μm以下。

4.一種發(fā)光裝置，其構(gòu)成為具有半導(dǎo)體發(fā)光元件和熒光體層，該發(fā)光裝置的特征在于，

（i）所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出具有350nm以上520nm以下的波長(zhǎng)的光，

（ii）所述熒光體層包含熒光體，該熒光體能夠被所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)而發(fā)出波長(zhǎng)比所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光更長(zhǎng)的光，

（iii）所述熒光體層具有所述熒光體的體積基準(zhǔn)的中位直徑D_50v的2倍以上10倍以下的厚度，

（iv）在所述熒光體層中，所述熒光體的體積基準(zhǔn)的平均粒徑D_v與個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的平均粒徑D_n之比（D_v/D_n）為1.2以上25以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述熒光體層的最大厚度與最小厚度之差為所述熒光體層的體積基準(zhǔn)的中位直徑D_50v以下。

6.一種發(fā)光裝置，其構(gòu)成為具有半導(dǎo)體發(fā)光元件和熒光體層，該發(fā)光裝置的特征在于，

（i）所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出具有350nm以上520nm以下的波長(zhǎng)的光，

（ii）所述熒光體層包含熒光體，該熒光體能夠被所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)而發(fā)出波長(zhǎng)比所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光更長(zhǎng)的光，

（iii）在所述熒光體層中，所述熒光體的體積基準(zhǔn)的平均粒徑D_v與個(gè)數(shù)基準(zhǔn)的平均粒徑D_n之比（D_v/D_n）為1.2以上25以下，

（iv）所述熒光體層的最大厚度與最小厚度之差為所述熒光體層的體積基準(zhǔn)的中位直徑D_50v以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述熒光體層包含粘合樹脂。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述熒光體在發(fā)光光譜的發(fā)光波長(zhǎng)區(qū)域與激發(fā)光譜的激發(fā)波長(zhǎng)區(qū)域中波長(zhǎng)范圍重疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述熒光體含有：第1熒光體，其能夠被所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)而發(fā)出波長(zhǎng)比所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光更長(zhǎng)的第1光；以及第2熒光體，其能夠被所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)而發(fā)出波長(zhǎng)比所述第1光更長(zhǎng)的第2光。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第2熒光體是能夠被所述第1光激發(fā)而發(fā)出波長(zhǎng)比所述第1光更長(zhǎng)的第2光的熒光體。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第1熒光體的D_50v的值與所述第2熒光體的D_50v的值之差為1μm以上。