[發(fā)明專利]硅薄膜、硅薄膜光伏電池以及它們的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180002927.3
• 申請(qǐng)日: 2011-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN102713026A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋山信之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 秋山信之
• 主分類號(hào): C30B29/06
• 分類號(hào): C30B29/06;H01L21/02;H01L21/20;H01L31/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種制造硅薄膜的方法，該方法具有這樣的形式，其中通過在硅基板上選擇性形成非活性層而形成該硅基板的暴露面和該非活性層形成的非活性面，在該非活性層中對(duì)于硅晶體的原料氣體該硅晶體的生長是非活性的，并且通過向該硅基板提供該原料氣體中使該硅基板上的表面分解反應(yīng)占主導(dǎo)地位的原料氣體，從該暴露面生長該硅晶體，使得該硅晶體覆蓋該硅基板，

其中通過形成寬度在0.001μm至1μm范圍內(nèi)的該暴露面，以該硅薄膜能夠從該硅基板剝離的狀態(tài)形成該硅薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將蝕刻該非活性層的蝕刻劑提供到該硅薄膜的要?jiǎng)冸x的端部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中該非活性層由斷裂強(qiáng)度低于該硅薄膜的斷裂強(qiáng)度的材料形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中該非活性層由氧化物膜形成，并且該氧化物膜形成在富氧狀態(tài)下。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在生長該硅薄膜之后，對(duì)該氧化物膜和該硅薄膜執(zhí)行熱處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中該暴露面的寬度形成為0.45μm或更小，并且該硅薄膜的厚度生長為直到該厚度變?yōu)檫_(dá)到40μm的任何指定厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中形成該非活性層的材料摻雜有P型或N型摻雜劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中該硅基板形成為彎曲形狀，并且該非活性層和該硅晶體形成在該硅基板的該彎曲形狀的表面上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的方法，其中該原料氣體摻雜有P型或N型摻雜劑，并且在該硅薄膜的形成期間該摻雜劑在P型和N型之間轉(zhuǎn)換。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其中暴露該非活性面和該硅薄膜的該暴露面形成在該硅薄膜上，并且新的硅薄膜形成在該硅薄膜上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在該硅基板的周邊區(qū)域的至少一側(cè)上該非活性面與該暴露面的面積比高于該硅基板的中心區(qū)域中該非活性面與該暴露面的面積比。

12.一種制造硅薄膜光伏電池的方法，其中在根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)形成的該硅薄膜的兩個(gè)面上形成電極。

13.一種硅薄膜，由硅晶體形成，并且具有在其主面上設(shè)置的多個(gè)凸起部分，

其中該凸起部分具有范圍為0.001μm至1μm的寬度，并且具有以撕掉該硅晶體的形式形成的剝離標(biāo)記和/或以通過在該凸起部分的末端蝕刻去除在該凸起部分的該末端上形成的氧化硅膜而獲得的形式形成的蝕刻標(biāo)記。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的硅薄膜，

其中該硅薄膜的厚度為40μm或更小，

其中該凸起部分的寬度為0.45μm或更小，

并且其中在該凸起部分的該末端處包括該蝕刻標(biāo)記。

15.一種薄膜光伏電池，通過在根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的硅薄膜的兩個(gè)面上形成電極而形成。