[實用新型]一種AC-DC芯片、系統及其高壓啟動控制電路

有效

• 申請號: 201120515772.0
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN202550872U
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 張君志
• 申請（專利權）人: 深圳市富滿電子有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36;H02M7/04
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種AC-DC芯片的高壓啟動控制電路，與AC-DC系統變壓器初級線圈的第二端與所述AC-DC芯片的電源開關M1的高電位端的公共連接端相連，用以控制對所述AC-DC芯片外的外掛電容C1的充電快慢，其特征在于，所述AC-DC芯片的高壓啟動控制電路包括：

高壓啟動開關管M0、二極管D0、電阻R0、電流源單元、PMOS管M?3、PMOS管M4、NMOS管M5、開關管M6和比較器U0；

所述高壓啟動開關管M0的高電位端接所述AC-DC芯片的電源開關M1的高電位端，所述高壓啟動開關管M0的低電位端接所述二極管D0的陽極，所述二極管D0的陰極通過所述電阻R0同時接所述電流源單元的輸入端、所述PMOS管M3的源極、所述PMOS管M4的源極和所述開關管M6的高電位端，所述PMOS管M3的漏極同時接所述PMOS管M3的柵極和所述電流源單元的第一輸出端，所述PMOS管M3的柵極與所述PMOS管M4的柵極相連，所述PMOS管M4的漏極同時接所述NMOS管M5的漏極和所述開關管M6的控制端，所述NMOS管M5的柵極接所述比較器U0的輸出端，所述NMOS管M5的源極與所述電流源單元的第二輸出端相連并接地，所述比較器U0的同相輸入端接所述開關管M6的低電位端，所述高壓啟動開關管M0的控制端與所述開關管M6的控制端相連，所述比較器U0的反相輸入端接參考電壓，所述外掛電容C1接在所述比較器U0的同相輸入端與地之間。

2.如權利要求1所述的高壓啟動控制電路，其特征在于，所述的電流源單元包括：電阻R1、電阻R2、NMOS管M2和NMOS管M7；

所述電阻R1的第一端是所述電流源單元的輸入端，所述電阻R1的第二端同時接所述NMOS管M2的柵極和所述NMOS管M7的漏極，所述NMOS管M2的漏極作為所述電流源單元的第一輸出端與所述PMOS管M3的漏極相連，所述NMOS管M2的源極同時接所述NMOS管M7的柵極和所述電阻R2的第一端，所述NMOS管M7的源極與所述電阻R2的第二端相連作為所述電流源單元的第二輸出端。

3.如權利要求1或2所述的高壓啟動控制電路，其特征在于，所述的高壓啟動開關管M0為耗盡型高壓NMOS管，所述耗盡型高壓NMOS管的漏極為所述高壓啟動開關管M0的高電位端，所述耗盡型高壓NMOS管的源極為所述高壓啟動開關管M0的低電位端，所述耗盡型高壓NMOS管的柵極為所述高壓啟動開關管M0的控制端。

4.如權利要求1或2所述的高壓啟動控制電路，其特征在于，所述的高壓啟動開關管M0為高壓JFET，所述高壓JFET的漏極為所述高壓啟動開關管M0的高電位端，所述高壓JFET的源極為所述高壓啟動開關管M0的低電位端，所述高壓JFET的柵極為所述高壓啟動開關管M0的控制端。

5.如權利要求1或2所述的高壓啟動控制電路，其特征在于，所述開關管M6為NMOS管，所述NMOS管的柵極為所述開關管M6的控制端，所述NMOS管的漏極為所述開關管M6的高電位端，所述NMOS管的源極為所述開關管M6的低電位端。

6.如權利要求1或2所述的高壓啟動控制電路，其特征在于，所述開關管M6為PMOS管，所述PMOS管的柵極為所述開關管M6的控制端，所述PMOS管的源極為所述開關管M6的高電位端，所述PMOS管的漏極為所述開關管M6的低電位端。

7.一種AC-DC芯片，連接在AC-DC系統變壓器初級線圈的第二端與地之間，包括電源開關M1和電源控制電路，所述AC-DC芯片外接一個外掛電容C1，其特征在于，所述的AC-DC芯片還包括如權利要求1-6任一項所述的高壓啟動控制電路。

8.一種AC-DC系統，其特征在于，所述AC-DC系統包括變壓器T、二極管D1、二極管D2、電容C1、電容C2、電阻R4、電感L0和如權利要求7所述的AC-DC芯片，所述變壓器T的初級線圈的第一端接市電高壓輸入端，所述變壓器T的初級線圈的第二端接所述AC-DC芯片上的電源開關M1的高電位端，所述AC-DC芯片同時接所述電容C1的第一端和所述電阻R4的第一端，所述電容C1的第二端接地，所述電阻R4的第二端接所述二極管D1的陰極，所述二極管D1的陽極通過所述電感L0與所述AC-DC芯片上的電源開關M1的低電位端相連并接地，所述變壓器T的次級線圈通過所述二極管D2和所述電容C2輸出低壓直流電。