[實(shí)用新型]像素結(jié)構(gòu)及液晶面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120478218.X | 申請日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN202443224U | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王永燦;占紅明;林麗鋒;陳化黨 | 申請(專利權(quán))人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 結(jié)構(gòu) 液晶面板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)及液晶面板。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,液晶顯示器已經(jīng)成為常見的顯示設(shè)備,廣泛應(yīng)用于手機(jī)、掌上電腦等便攜式移動終端。目前,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced?Super?Dimension?Switch,簡稱ADS)等模式的液晶面板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了寬視角的技術(shù)指標(biāo)。
ADS通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場,使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn),從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì),具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板包括多個ADS像素結(jié)構(gòu),如圖1所示,ADS像素結(jié)構(gòu)包括:公共電極11,與所述公共電極11對應(yīng)的像素電極12,所述公共電極11與像素電極12之間設(shè)有絕緣層14,在每個ADS像素結(jié)構(gòu)的一端且連接著像素電極12的薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin?Film?Transistor,TFT)13。所述公共電極11采用固定電壓,所述TFT?13通過改變所述像素電極12的電壓,從而改變像素電極12與公共電極11的電壓差,進(jìn)而改變了公共電極11與像素電極12之間的邊緣電場,通過邊緣電場的改變,使貼附于陣列基板上的液晶層15中的液晶分子旋轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)了透光的效果。
在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:在所述的ADS像素結(jié)構(gòu)中,公共電極與像素電極產(chǎn)生的邊緣電場分布不均,而使得透光不均。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)及液晶面板,用于解決現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中,由于公共電極與像素電極產(chǎn)生的邊緣電場分布不均,而使得透光不均的問題。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
一種像素結(jié)構(gòu),包括第一電極、第二電極,所述第二電極與所述第一電極之間設(shè)有絕緣層,所述第二電極與所述第一電極配合產(chǎn)生邊緣電場,所述第二電極包括多個第二電極組,所述第二電極組包括第一公共電極組與第二像素電極組,所述第一公共電極組與所述第二像素電極組之間設(shè)有第一間隙,其中,所述第一公共電極組加載固定電壓,所述第二像素電極組加載第一控制電壓;所述第一電極包括多個與所述第二電極組對應(yīng)的第一電極組,所述第一電極組包括第一像素電極組與第二公共電極組,所述第一像素電極組與第二公共電極組之間設(shè)有第二間隙。
具體的,所述第一像素電極組由至少兩個子電極組成,所述第二公共電極組由至少兩個子電極組成,所述第一像素電極組與所述第一公共電極組對應(yīng)并加載第二控制電壓,所述第二公共電極組與所述第二像素電極組對應(yīng)并加載固定電壓。通過加載第二控制電壓與加載固定電壓,滿足了整個結(jié)構(gòu)的電壓需要。
具體的,所述像素結(jié)構(gòu)上設(shè)有用于控制所述第一像素電極組的加載電壓的第一薄膜晶體管TFT;所述像素結(jié)構(gòu)上還設(shè)有用于控制所述第二像素電極組的加載電壓的第二TFT。應(yīng)用TFT的特性分別對第一像素電極組和第二像素電極組進(jìn)行控制,滿足了整個結(jié)構(gòu)的電壓需要。
進(jìn)一步的,所述第一控制電壓與所述第二控制電壓的電壓絕對值相同、電壓極性相反且頻率一致,所述固定電壓為0V。這樣,對第二控制電壓進(jìn)行取反就能得到第一控制電壓,在方便電壓控制的同時,加載一個小電壓就能夠使第一像素電極組與第二像素電極組達(dá)到一個電壓差,從而達(dá)到原有像素電極需要的高電壓的效果。
優(yōu)選的,所述第一間隙與所述第二間隙上下對齊設(shè)置。這樣采用所述上下對齊設(shè)置,減小了所述第二電極與第一電極間的交疊面積,從而減小了所述第二電極與所述第一電極間的電容,則在改變所述第一控制電壓與第二控制電壓時速度更快,從而提高了面板響應(yīng)時間。
一種液晶面板,包括彩膜基板、陣列基板以及設(shè)置在所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶層,所述陣列基板包括多個上述的像素結(jié)構(gòu)。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
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