[實用新型]一種納米氧化物粉體的制造裝置有效
| 申請號: | 201120476582.2 | 申請日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN202359194U | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 胡晞 | 申請(專利權)人: | 蘇州華微特粉體技術有限公司;胡晞 |
| 主分類號: | C23C16/40 | 分類號: | C23C16/40 |
| 代理公司: | 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129 | 代理人: | 吳小燦 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 氧化物 制造 裝置 | ||
1.一種納米氧化物粉體的制造裝置,其特征在于,包括依次連接的雙層套筒式熔池、反應器和分離器,雙層套筒式熔池的內筒連接輸送加熱融化的熔融單質物質的導管,輸送鹵族氣體的導管連接在雙層套筒式熔池的內筒底部,輸送不參與反應的調整鹵化物濃度的氣體導管連接在雙層套筒式熔池的內筒頂部,雙層套筒式熔池的外筒連接輸送水蒸汽的導管;所述反應器具有連接所述外筒的水蒸汽入口以及連接所述內筒的氣態鹵化物和調整鹵化物濃度的氣體入口;分離器上具有固體氧化物粉體的收集口以及氣體排出口。
2.根據權利要求1所述的納米氧化物粉體的制造裝置,其特征在于,在反應器和分離器的接口附近具有導入不參與反應的其他氣體的導管。
3.根據權利要求1或2所述的納米氧化物粉體的制造裝置,其特征在于,所述雙層套筒式熔池的內筒選擇與所述熔融單質物質的物理與化學性質相適配的材料制備。
4.根據權利要求1或2所述的納米氧化物粉體的制造裝置,其特征在于,所述輸送鹵族氣體的導管采用耐鹵族氣體腐蝕的材料制備。
5.根據權利要求4所述的納米氧化物粉體的制造裝置,其特征在于,所述輸送鹵族氣體的導管采用陶瓷類材料制備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州華微特粉體技術有限公司;胡晞,未經蘇州華微特粉體技術有限公司;胡晞許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201120476582.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種用于MOCVD反應腔的氣體流量控制裝置
- 下一篇:鋼錠翻轉裝置
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





