[實用新型]單晶硅生長爐的石墨坩堝

有效

• 申請號: 201120435287.2
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN202390577U
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 周兵
• 申請（專利權）人: 周兵
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B35/00
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 胡定華

技術領域

本實用新型涉及單晶硅生長設備，尤其涉及單晶硅生長爐的石墨坩堝。

背景技術

傳統的太陽能單晶硅生長爐的石墨坩堝基本選用單瓣式的，單瓣式石墨坩堝的坩堝底部保溫較差，坩堝內部盛裝的硅料熔體上下溫差較大，最終導致單晶硅生產中的氧含量提高，降低了單晶硅的生產質量。因此，應該提供一些新的技術方案解決上述問題。

實用新型內容

本實用新型的目的是：針對上述不足，提供一種能降低單晶硅生產中的氧含量，傳熱效率高，加熱迅速的單晶硅生長爐的石墨坩堝。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是：單晶硅生長爐的石墨坩堝，包括坩堝本體，所述坩堝本體由大小相同的至少三瓣坩堝片和一個坩堝托盤組成，所述相鄰的坩堝片的頂部通過連接件連接，所述坩堝本體外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺。

所述連接件為兩頭彎曲的金屬卡線。

本實用新型單晶硅生長爐的石墨坩堝，坩堝本體由大小相同的至少三瓣坩堝片組成，相鄰的坩堝片的頂部通過連接件連接。由于單晶硅生長爐需要經常開爐和停爐，在溫度急劇變化的惡劣工況下，石墨坩堝在使用一段時間后容易產生開裂，所以坩堝片的頂部通過連接件連接，對石墨坩堝起到有效的保護作用。在坩堝本體外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺，凸臺的設置增加了石墨坩堝外表面積，也增加了石墨坩堝的傳熱面積，達到加大傳輸量，快速加熱的目的。

本實用新型的優點是：能降低單晶硅生產中的氧含量，傳熱效率高，加熱迅速。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細敘述。

圖1為本實用新型結構示意圖。

其中：1、坩堝本體，2、坩堝片，3、坩堝托盤，4、連接件，5、凸臺。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型單晶硅生長爐的石墨坩堝，包括坩堝本體1，坩堝本體1由大小相同的至少三瓣坩堝片2和一個坩堝托盤3組成，相鄰的坩堝片2的頂部通過連接件4連接，坩堝本體1外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺5，連接件4為兩頭彎曲的金屬卡線。

坩堝片2的頂部通過連接件4連接，對石墨坩堝起到有效的保護作用。在坩堝本體1外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺5，凸臺5的設置增加了石墨坩堝外表面積，也增加了石墨坩堝的傳熱面積，達到加大傳輸量，快速加熱的目的。