[實(shí)用新型]三層金屬?gòu)?fù)合焊片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120336363.4
• 申請(qǐng)日: 2011-09-08
• 公開（公告）號(hào): CN202240181U
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林德健;徐懷建;熊盛陽(yáng);官巖;彭磊;鄔文浩;趙彥飛;林雄輝;武斌;孫勇;吳立強(qiáng);李艷如;王騰研;劉海龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京市半導(dǎo)體器件六廠;中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院;陳文卿;吳文俊;張柏生
• 主分類號(hào): B23K35/00
• 分類號(hào): B23K35/00;H01L23/488
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種用于將電子元件、半導(dǎo)體芯片與引線端焊接在一起的金屬?gòu)?fù)合焊片。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，諸如半導(dǎo)體芯片的微電子元件與引線端的連接大都采用壓接方式連接，這種結(jié)構(gòu)不能保證接觸的可靠性，不適用于具有較高可靠等級(jí)的產(chǎn)品的微電子封裝。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種具有高可靠性的三層金屬?gòu)?fù)合焊片，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的微電子元件與引線端接觸不可靠的缺陷。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：

一種三層金屬?gòu)?fù)合焊片，由三層金屬結(jié)構(gòu)復(fù)合構(gòu)成，第一層和第三層均為銀銅錫合金片，第二層為熔接設(shè)置在所述第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片之間的銀片，所述銀片分別與第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片的接合面相互熔接在一起。

進(jìn)一步地，所述第二層的銀片的厚度為20～25微米。

進(jìn)一步地，所述第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片的厚度均為10～12.5微米。

本實(shí)用新型所述的金屬?gòu)?fù)合焊片用于玻璃封裝二極管的芯片焊接，以及微電子元件、半導(dǎo)體芯片與引線端之間的焊接，其焊接牢固，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理，提高了微電子元件封裝的可靠性，適用于具有較高可靠等級(jí)的產(chǎn)品的封裝。?

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型側(cè)面剖視圖；

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：

1、銀片，2、銀銅錫合金片。?

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的三層金屬?gòu)?fù)合焊片，由三層金屬結(jié)構(gòu)復(fù)合構(gòu)成，第一層(外表層)和第三層(外表層)均為銀銅錫合金片2，第二層（中間層）為熔接設(shè)置在所述第一層的銀銅錫合金片2和第三層的銀銅錫合金片2之間的銀片1，所述銀片1分別與第一層的銀銅錫合金片2和第三層的銀銅錫合金片2的接合面相互熔接在一起。所述第二層的銀片1的厚度為20～25μm。所述第一層的銀銅錫合金片2和第三層的銀銅錫合金片2的厚度均為10～12.5μm。上下兩層銀銅錫合金片2的厚度之和約等于中間銀片1的厚度。在制造該焊片的過(guò)程中，操作人員可通過(guò)調(diào)整銀銅錫合金片2中三種金屬的混合比例來(lái)控制它的熔化溫度。

本實(shí)用新型所述的金屬?gòu)?fù)合焊片在玻璃封裝二極管的芯片焊接，以及微電子元件、半導(dǎo)體芯片與引線端之間的焊接時(shí)，焊接牢固，提高了微電子元件封裝的可靠性，適用于具有較高可靠等級(jí)的產(chǎn)品的封裝。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。