[實用新型]噴淋裝置

有效

• 申請號: 201120294044.1
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN202142509U
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 丁海濤
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;G03F7/42
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體集成電路領域，特別涉及一種噴淋裝置。

背景技術

目前，集成電路已經從60年代的每個芯片僅幾十個器件發展到現在的每個芯片上包含約10億個器件。集成電路之所以能飛速發展，光刻技術的發展起到了關鍵的作用。但是通孔中光刻膠殘留物的去除，一直是一個技術難題。同時硅片在進行工藝加工過程中，常常會被不同的雜質玷污，這些雜質將導致集成電路芯片的良品率大大下降，下降約50％。所以為了獲得高質量、高產率的集成電路芯片，必須將這些雜質除去。

現有技術中，針對這一問題，目前有用純水對晶片中心長時間沖洗，這種方法對200mm涂膠顯影機可以將光刻膠殘留物完全沖洗掉，但對300mm涂膠顯影機就不能做到，如圖1所示，該種沖洗方式沖洗晶片的噴淋裝置，包括相互垂直的噴淋嘴管1和水管2，所述噴淋嘴管1位于晶片3上方并垂直與晶片3，晶片3隨機臺旋轉運動，純水垂直噴淋在晶片3上，晶片3中心的純水只靠重力排出，在晶片3中心會產生星型渦旋，且中心到邊緣是輻射沖洗雜質，易產生十字型缺陷，且當沖洗時間不夠時，晶片3上的光刻膠浮渣會殘留在晶片3上，影響晶片3性能，所述晶片3效率損失約為2％-20％，現有技術的噴淋裝置不足之處在于：沖洗時間長、純水用量大且晶片上存在十字型缺陷。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種沖洗時間短，純水用量小以及避免產生十字型缺陷的噴淋裝置。

本實用新型的技術解決方案是：一種噴淋裝置，用于沖洗晶片，包括噴淋嘴管和水管，其特殊之處在于，所述噴淋嘴管與水管活動連接，所述噴淋裝置上設有使噴淋嘴管沿水管軸向轉動的驅動機構。

作為優選：所述噴淋嘴管與水管的夾角大于90°。

作為優選：所述噴淋嘴管與水管的夾角為140°-165°。

作為優選：所述驅動機構包括固定在水管上且機軸平行于水管的電機、與電機機軸連接的第一齒輪、固定在噴淋嘴管上與第一齒輪嚙合的第二齒輪。

作為優選：所述噴淋嘴管套裝在水管上。

作為優選：所述電機為步進電機。

與現有技術相比，本實用新型的優點是結構簡單、沖洗時間短、用水量少、提高產能以及避免晶片上產生十字型缺陷。

附圖說明

圖1是現有技術的結構圖。

圖2是本實用新型的結構圖。

圖3是本實用新型驅動機構的效果示意圖。

具體實施方式

本實用新型下面將結合附圖作進一步詳述：

圖1示出了現有技術的噴淋裝置，所述噴淋裝置包括相互垂直的噴淋嘴管1和水管2，所述噴淋嘴管1位于晶片3上方并垂直與晶片3，晶片3隨機臺旋轉運動，純水垂直噴淋在晶片3上，晶片3中心的純水只靠重力排出，在晶片3中心會產生星型渦旋，且中心到邊緣是輻射沖洗雜質，易產生十字型缺陷，且當沖洗時間不夠時，晶片3上的光刻膠浮渣會殘留在晶片3上，影響晶片3性能，所述晶片3效率損失約為2％-20％，所述噴淋裝置存在沖洗時間長、純水用量大且晶片上存在十字型缺陷。

請參閱圖2所示，在本實施例中，所述噴淋裝置，包括噴淋嘴管5和水管4，所述噴淋嘴管5與水管4活動連接，所述噴淋嘴管5套裝在水管4上，所述噴淋裝置上設有使噴淋嘴管5沿水管4軸向轉動的驅動機構6，所述噴淋嘴管5具有弧度，所述噴淋嘴管5與水管4夾角大于90°，噴淋嘴管5與水管4的夾角為140°-165°，這樣使得噴淋嘴管5不再垂直與晶片3，而是成15°-40°的入射角。噴淋到晶片3上的純水不再只靠重力排出，不會產生星型渦旋，不會產生十字型缺陷。所述驅動機構6，包括固定在水管4上且機軸611平行于水管的電機61、與電機機軸611連接的第一齒輪62、固定在噴淋嘴管5與第一齒輪62嚙合的第二齒輪63。噴淋嘴管5在電機61帶動下通過齒輪嚙合可繞水管4軸向轉動，所述電機61采用步進電機，可以正轉、反轉，如圖3所示，在本實施例中所述噴淋嘴管5正轉角度為65°，反轉角度為65°，且中心到邊緣不再是輻射沖洗雜質，而是掃描式沖洗，晶片3上的光刻膠易沖洗掉，不會殘留，沖洗效果好。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型權利要求范圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本實用新型權利要求的涵蓋范圍。