[實用新型]一種集成化電場微傳感器

有效

• 申請號: 201120226024.0
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN202189098U
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 陳新安;沈浩颋
• 申請（專利權）人: 上海谷昊電子科技有限公司
• 主分類號: G01R29/12
• 分類號: G01R29/12;H01L27/04;H01L29/78
• 代理公司: 上海世貿專利代理有限責任公司 31128
• 代理人: 葉克英

1.一種集成化電場微傳感器，其特征在于：由兩個耗盡型絕緣體上硅電場直接柵金屬氧化物半導體管按串聯方式組成，其溝道長度、溝道寬度、溝道載流子濃度都相同，溝道厚度各異，兩個耗盡型絕緣體上硅電場直接柵金屬氧化物半導體管由相同工藝集成在同一芯片上。

2.根據權利要求1所述的一種集成化電場微傳感器，其特征在于：第一耗盡型絕緣體上硅電場直接柵金屬氧化物半導體管的源極接地電源地（V_ss），第二耗盡型絕緣體上硅電場直接柵金屬氧化物半導體管的漏極接電源（V_dd），第一耗盡型絕緣體上硅電場直接柵金屬氧化物半導體管的漏極和第二耗盡型絕緣體上硅電場直接柵金屬氧化物半導體管的源極相連接點作為信號電壓的輸出端（V_out）。

3.根據權利要求1所述的一種集成化電場微傳感器，其特征在于：兩個耗盡型絕緣體上硅電場直接柵金屬氧化物半導體管為耗盡型n溝道絕緣體上硅電場直接柵金屬氧化物半導體管。