[實用新型]一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120218701.4
• 申請日: 2011-06-24
• 公開（公告）號: CN202167328U
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊先進;張小東;劉朋朋;蔡文博
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞市銘普實業(yè)有限公司
• 主分類號: H01F27/28
• 分類號: H01F27/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及網(wǎng)絡變壓器，具體涉及一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的網(wǎng)絡變壓器有單口千兆網(wǎng)絡變壓器和雙口千兆網(wǎng)絡變壓器。無論是單口千兆網(wǎng)絡變壓器或是雙口千兆網(wǎng)絡變壓器都能允許以太網(wǎng)在數(shù)據(jù)傳輸線上同時傳送直流電源。現(xiàn)有的網(wǎng)絡變壓器適用于網(wǎng)絡交換設(shè)備、筆記本電腦等，支持10/100/1000Base-T傳輸速率，電性參數(shù)及性能符合IEEE802.3at國際標準，電磁抑制能力符合EN55022?Class?B標準要求。但現(xiàn)有的網(wǎng)絡變壓器的POE效率低，設(shè)計的最大載流能力以及單通道承載受電設(shè)備功率的功率做得不是很高。

實用新型內(nèi)容

本實用新型需解決的問題是提供一種具有體積小、高功率POE的千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型設(shè)計出一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器，包括底座、上蓋、繞腳、線圈和電路板，所述的繞腳穿插在底座上，繞腳的一端置于底座外部作為PIN腳部分，底座和上蓋通過相互扣盒的結(jié)構(gòu)連接，線圈的引出端分別與相應的繞腳連接，所述的線圈和電路板分別設(shè)置在底座與上蓋形成的空間里，所述的線圈包括具有高功率耐高偏流抗電流飽和的磁芯。

本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器采用上下蓋組合結(jié)構(gòu)設(shè)計，除了具備常規(guī)網(wǎng)絡變壓器功能外還實現(xiàn)高功率POE+功能并保持較小的產(chǎn)品封裝。允許以太網(wǎng)在數(shù)據(jù)傳輸線上同時傳送直流電源。本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器適用于網(wǎng)絡交換設(shè)備、筆記本電腦等，支持10/100/1000Base-T傳輸速率，電性參數(shù)及性能符合IEEE802.3at國際標準，電磁抑制能力符合EN55022?Class?B標準要求。本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器設(shè)計最大載流能力850mA?Max，單通道承載受電設(shè)備(PD)功率30WMax。

附圖說明：

圖1是本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器的主視圖；

圖3是本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器的側(cè)視圖；

圖4是本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器的電路原理圖。

具體實施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面將結(jié)合具體實施例及附圖對本實用新型的結(jié)構(gòu)原理作進一步的詳細描述：

如圖1、圖2、圖3、圖4所示，設(shè)計一種千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器，它包括底座1、上蓋2、繞腳3、線圈4和電路板，所述的繞腳3穿插在底座1上，繞腳3的一端置于底座1外部作為PIN腳部分，底座1和上蓋2通過相互扣盒的結(jié)構(gòu)連接，線圈的引出端分別與相應的繞腳3連接，所述的線圈和電路板分別設(shè)置在底座與上蓋形成的空間里，所述的線圈包括具有高功率耐高偏流抗電流飽和的磁芯。

如圖4所示，線圈T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8分別引出接線端1～40。

本實用新型千兆SMT封裝網(wǎng)絡變壓器具有以下電路設(shè)計特點：號傳輸、阻抗匹配、信號雜波抑制、高電壓隔離、高功率PoE+Enable。

A、信號傳輸：支持10/100/1000Base-T傳輸速率，電性參數(shù)及性能符合IEEE802.3at國際標準，各通道可依不同的主板芯片定義為不同的功能(作為傳輸或接收通道)，它把PHY送出來的差分信號用差模耦合線圈耦合濾波以增強信號，并且通過電磁場的轉(zhuǎn)換耦合到不同電平的連接網(wǎng)線的另外一端。

B、阻抗匹配：匹配客戶主板100Ohm的阻抗，可有效的控制ReturnLoss。

C、共模信號雜波抑制：產(chǎn)品磁性組件中增加共模抑制線圈，當差模信號通過共模線圈時在磁芯中產(chǎn)生相反的磁場而相互抵消，當共模信號通過線圈時在磁芯中產(chǎn)生相同方向的磁場而加強，它能使有用的差模信號幾乎無損耗的通過，而對共模干擾信號呈現(xiàn)高阻抗，使其大量衰減，從而達到抑制共模EMI的目的，EMI抑制能力滿足EN55022?Class?B標準。

D、高電壓隔離：產(chǎn)品磁性組件設(shè)計絕緣電壓滿足IEEE802.3.2002.PARA?40.6.1.1，ITEM?a&b要求，隔離網(wǎng)線連接中不同網(wǎng)絡設(shè)備間的不同電平，使芯片端與外部隔離，抗干擾能力大大增強，而且對芯片增加了很大的保護作用(如雷擊)，以防止不同電壓通過網(wǎng)線傳輸損壞設(shè)備，由此可對客戶設(shè)備起到一定的防雷及抗沖擊保護作用。