[實用新型]一種高像素攝像模組COF封裝基板無效
| 申請號: | 201120144234.5 | 申請日: | 2011-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN202103050U | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發明(設計)人: | 李金華 | 申請(專利權)人: | 廈門市英諾爾電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/12;H01L23/13 |
| 代理公司: | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
| 地址: | 361000 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 攝像 模組 cof 封裝 | ||
技術領域
本實用新型涉及印制板領域,更具體的說涉及一種高像素攝像模組COF封裝基板。
背景技術
在影像應用需求大幅提升的推波助瀾下,60年代早已問世的影像傳感器芯片,也再度受到市場重視,影像傳感器芯片在系統中的作用,如同人的眼睛一樣至關重要。
目前,影像傳感器芯片的封裝形式一般為COB和CSP封裝,這兩種封裝方式均具有不可繞折的局限性,隨著電子產品小型化和輕薄化,上述兩種封裝方式已經無法滿足市場的需求。
針對上述問題,人們開發出了一種新型的封裝方式,即COF封裝,其除了具備COB和CSP相同的功能外,還能同時實現產品的小型化和輕薄化,尤其在高像素的攝像模組上,還具有動態繞折和靜態繞折的性能,從而具有比COB和CSP封裝優良的特性。
有鑒于此,本發明人為了適應COF封裝,特潛心研究能適用于高像素攝像模組的COF封裝基板,本案由此產生。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種高像素攝像模組COF封裝基板,其適用于高像素攝像模組,并具有動態和靜態繞折性能。
為了達成上述目的,本實用新型的解決方案是:
一種高像素攝像模組COF封裝基板,其中,包括:
軟板芯板以及分別位于軟板芯板上下兩側的第一硬板基材和第二硬板基材,該第一硬板基材和第二硬板基材均通過粘膠層而粘結在軟板芯板上;
該軟板芯板具有繞折區,該第一硬板基材和第二硬板基材在對應于繞折區的位置處開設有開窗;
該軟板芯板包括軟板基材以及分設于軟板基材上下兩側的第一銅箔層和第二銅箔層,該第一銅箔層上方貼設有第一覆蓋膜,該第二銅箔層下方貼設有第二覆蓋膜,該第一銅箔層供影像傳感器芯片封裝于其中,該第一銅箔層形成有供COF封裝的邦定手指區,該第一覆蓋膜和第一硬板基材在對應于邦定手指區處都呈鏤空狀。
進一步,該COF封裝基板上端部和下端部分別形成有用于承載安裝連接器的頂板和底板。
進一步,該COF封裝基板在頂板上方和底板下方都形成有S/M層,該S/M層上形成有焊盤空間。
進一步,該COF封裝基板上還具有接地補強鋼片,該接地補強鋼片與第二銅箔層電連接。
進一步,該第一硬板基材和第二硬板基材均選用FR4。
進一步,該軟板基材為PI層。
采用上述結構后,本實用新型涉及一種高像素攝像模組COF封裝基板,該影像傳感器芯片封裝在第一銅箔層中,其通過在第一銅箔層上設置邦定手指區,從而能實現COF封裝影像傳感器芯片,同時由于該軟板芯板上設置有繞折區,故還具有動態和靜態繞折性能。
附圖說明
圖1為本實用新型涉及一種高像素攝像模組COF封裝基板較佳實施例的結構示意圖;
圖2為本實用新型涉及高像素攝像模組COF封裝基板的制成方法的流程框圖。
圖中:
COF封裝基板??????100
軟板芯板??????????1????????繞折區????????????11
軟板基材??????????12???????第一銅箔層????????13
邦定手指區????????131??????第二銅箔層????????14
第一覆蓋膜????????15???????第二覆蓋膜????????16
第一硬板基材??????2????????第二硬板基材??????3
粘膠層????????????4????????開窗??????????????5
頂板??????????????6????????底板??????????????7
S/M層????????????8?????????焊盤空間??????????81
接地補強鋼片??????9。
具體實施方式
為了進一步解釋本實用新型的技術方案,下面通過具體實施例來對本實用新型進行詳細闡述。
如圖1所示,其為本實用新型涉及一種高像素攝像模組COF封裝基板的結構示意圖,該COF封裝基板100包括軟板芯板1、第一硬板基材2和第二硬板基材3,該第一硬板基材2和第二硬板基材3分別位于軟板芯板1的上下兩側,該第一硬板基材2和第二硬板基材3均通過粘膠層4而粘結在軟板芯板1上;具體的,該第一硬板基材2和第二硬板基材3采用的為單面基材CCL,其材質選用FR4。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





