[實(shí)用新型]用于多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理的脫酸器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120073909.1
• 申請(qǐng)日: 2011-03-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202054619U
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)大洲;毋克力;肖榮暉;湯傳斌;謝正和;杜俊平;謝冬暉;汪紹芬;郭富東
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C01B33/12
• 分類(lèi)號(hào): C01B33/12;C01B7/01
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種脫酸器，尤其是涉及一種用于多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理的脫酸器。

背景技術(shù)

近年來(lái)，隨著硅太陽(yáng)能電池的發(fā)展，多晶硅市場(chǎng)得以迅猛增長(zhǎng)。目前國(guó)際上采用的多晶硅制備方法均為改良的西門(mén)子法，即采用三氯氫硅氫化還原，其副產(chǎn)物主要是四氯化硅，生產(chǎn)1噸多晶硅所產(chǎn)生的副產(chǎn)物四氯化硅大約為12～18噸，因此如何處理副產(chǎn)物四氯化硅已經(jīng)成為多晶硅工業(yè)發(fā)展的一大瓶頸。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種用于多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理的脫酸器，該脫酸器可以用在用多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅生產(chǎn)二氧化硅中，用于分離與氯化氫分離后的二氧化硅表面附著的氯化氫，從而得到二氧化硅產(chǎn)品，該脫酸器脫酸效果好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。

根據(jù)本實(shí)用新型的用于多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理的脫酸器，包括：脫酸器本體，所述脫酸器本體內(nèi)限定有脫酸腔，所述脫酸器本體的上部設(shè)有尾氣出口和脫酸器出料口，所述脫酸器本體的下部設(shè)有脫酸蒸汽入口和脫酸器進(jìn)料口；和加熱管，所述電加熱管設(shè)置在所述脫酸器本體上且伸入所述脫酸腔內(nèi)。

根據(jù)本實(shí)用新型的脫酸器用在用多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅生產(chǎn)二氧化硅中，用于分離與氯化氫分離后的二氧化硅表面附著的氯化氫，從而得到二氧化硅產(chǎn)品，脫去的氯化氫可以用于制酸，該脫酸器脫酸效果好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。

另外，根據(jù)本實(shí)用新型上述的用于多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理的脫酸器還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

所述脫酸器本體包括：擴(kuò)大段，所述擴(kuò)大段的下部為截錐形，所述尾氣出口形成在所述擴(kuò)大段的頂部且所述脫酸器出料口形成在所述擴(kuò)大段下部的斜面上；爐身，所述爐身的上端與所述擴(kuò)大段的下端相連，其中所述加熱管安裝在所述爐身上；和爐底，所述爐底的上端與所述爐身相連且所述脫酸蒸汽入口和所述脫酸器進(jìn)料口分別形成在所述爐底的側(cè)面上。

所述爐底的底端設(shè)有排渣口。

所述爐身的側(cè)面上分別設(shè)有吹掃口和測(cè)溫口，所述吹掃口鄰近所述爐身的上端和下端。

所述擴(kuò)大段的側(cè)面設(shè)有高于所述脫酸器出料口的料位檢測(cè)口。

所述擴(kuò)大段的側(cè)面上設(shè)有平衡口。

所述擴(kuò)大段的側(cè)面上還設(shè)有觀察口。

所述擴(kuò)大段、爐身和爐底為回轉(zhuǎn)體且它們的徑向尺寸依次減小。

所述爐底包括與所述爐身相連的圓筒段和與所述圓筒段相連的錐形段。

所述加熱管分布在所述爐身的整個(gè)表面上。

本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是具有根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的脫酸器的多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理設(shè)備的框圖；

圖2是上述多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理設(shè)備的反應(yīng)器的示意圖；

圖3是圖2所示反應(yīng)器的分布器的示意圖；

圖4是圖3所示分布器的局部示意圖，其中示出了葉片的排列方式；

圖5是上述多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理設(shè)備的收集冷卻器的示意圖；

圖6是圖5所示收集冷卻器的內(nèi)殼的示意圖；

圖7是圖5所示收集冷卻器的旋體的示意圖；

圖8是圖5所示收集冷卻器的外殼的示意圖；

圖9是上述多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理設(shè)備的聚集器的示意圖；

圖10是圖9所示聚集器的俯視示意圖；

圖11是圖9所示聚集器的聚集管的示意圖；

圖12是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理的脫酸器的示意圖；

圖13是圖12所示脫酸器的擴(kuò)大段的示意圖；

圖14是圖12所示脫酸器的爐身的示意圖；和

圖15是上述多晶硅副產(chǎn)物四氯化硅處理設(shè)備的操作流程圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。