[發(fā)明專利]批量制備的3D互連無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110461892.1 | 申請日： | 2011-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN102556948A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | R·D·霍爾寧 | 申請（專利權(quán)）人： | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;G01C25/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 劉春元;李家麟 |
| 地址： | 美國新*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 批量 制備 互連 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種制備三維微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)慣性測量單元(IMU)芯片的方法，該方法包括：
在多個晶片中圖案化多個MEMS陀螺儀以及多個MEMS加速度計；
堆疊該多個晶片以形成在其中相鄰晶片結(jié)合在一起的晶片堆疊，該晶片堆疊具有頂部表面與底部表面；
在晶片堆疊的頂部表面以及底部表面上圖案化導(dǎo)電跡線；
在晶片堆疊的一個或更多鋸道內(nèi)形成通過該晶片堆疊的多個孔；
在該多個孔的側(cè)墻上沉積金屬以使得導(dǎo)電材料連接到晶片堆疊的頂部表面以及底部表面上的導(dǎo)電跡線；以及
沿著該一個或更多鋸道并且通過該多個孔對該晶片堆疊進(jìn)行劃片從而使得側(cè)墻上的導(dǎo)電材料在所得到的堆疊管芯的邊緣部分上暴露。
2.權(quán)利要求1的方法，包括：
在側(cè)墻上沉積導(dǎo)電材料之前在側(cè)墻上沉積電介質(zhì)材料。
3.權(quán)利要求1的方法，其中劃片包括分割該多個孔從而使得各個孔中的導(dǎo)電材料的第一部分在第一所得到的堆疊管芯上并使得各個孔的導(dǎo)電材料的第二部分在第二所得到的堆疊管芯上。
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