[發(fā)明專(zhuān)利]固晶裝置及固晶方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110461815.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103107248A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鍾君煒;羅偉誠(chéng);吳榮崑;姜崇義 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 華新麗華股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣桃園縣楊*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種固晶裝置及固晶方法,尤其是關(guān)于一種可一次性地同時(shí)固晶多個(gè)晶粒的固晶裝置及固晶方法。
背景技術(shù)
近年來(lái),發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode,LED)因節(jié)能、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),已成為未來(lái)綠色光源的發(fā)展重點(diǎn)。目前業(yè)界在進(jìn)行發(fā)光二極管封裝時(shí),多使用具備單一吸嘴的單一吸取器,將發(fā)光二極管晶粒逐一從膠膜上吸取后再逐一安裝至基板(或基座)上,以完成發(fā)光二極管晶粒的固晶制程。接著,再進(jìn)行打線、封膠等后續(xù)制程,以進(jìn)一步制作完成整個(gè)封裝體。
前述傳統(tǒng)固晶制程即為已知的序列式固晶方法,由于此序列式固晶方法是逐一吸取及安裝晶粒,因此,將全部晶粒安裝完畢勢(shì)必得花費(fèi)很多時(shí)間。為解決上述問(wèn)題,業(yè)界已相繼提出改善方案,例如中國(guó)臺(tái)灣專(zhuān)利證書(shū)號(hào)TW?I327344披露一種固晶制程,其將固晶制程區(qū)分為預(yù)壓合與主壓合兩個(gè)階段,并于固晶制程中較耗時(shí)的主壓合階段導(dǎo)入多晶粒同步壓合的方法,借以提升整體固晶速度。然而,此固晶制程中的預(yù)壓合階段仍采用耗時(shí)的傳統(tǒng)序列式固晶方法,且此兩階段壓合制程亦非適用于所有的發(fā)光二極管固晶制程。
中國(guó)臺(tái)灣專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)TW?200947641則披露了一種省略固晶吸取器的固晶裝置,該固晶裝置可利用頂針單元直接將晶粒頂起并轉(zhuǎn)置于基板接合面,以使晶粒與基板接合。此種固晶方式雖然可省略吸取器動(dòng)作的時(shí)間,借以提升固晶速度,只是此方法仍屬于序列式固晶方法,且省略使用固晶吸取器將會(huì)明顯降低固晶的精準(zhǔn)度。
此外,中國(guó)臺(tái)灣專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)TW?200952211另披露一種固晶方法,該方法除了省略固晶吸取器之外,也采用了多晶粒同步固晶的制程,因此可大幅提升固晶速度。但由于省略了固晶吸取器,該方法難以用于高精準(zhǔn)度的固晶制程。
因此,若于固晶制程中采用已知的序列式固晶方法將會(huì)明顯地耗時(shí),而省略固晶吸取器的方法雖可提升固晶速度,但卻不適用于高精準(zhǔn)度的固晶制程。
有鑒于此,發(fā)展一種可克服至少一種上述缺點(diǎn)的固晶裝置及固晶方法,乃是業(yè)界極力發(fā)展的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種固晶裝置及固晶方法,可將多個(gè)晶粒同時(shí)固設(shè)于基板上。
為達(dá)前述目的,本發(fā)明提出一種固晶裝置,包含一晶粒吸取器,可移動(dòng)地位于一第一置放區(qū)及一第二置放區(qū)的上方,該晶粒吸取器具有多個(gè)吸嘴,所述吸嘴用以將該第一置放區(qū)上的一預(yù)定數(shù)量的晶粒吸起,然后同時(shí)地放置在該基板上。
為達(dá)到前述目的,本發(fā)明另提出一種固晶裝置,包含:一晶粒承載臺(tái);一第一晶粒吸取器,可移動(dòng)地位于一第一置放區(qū)及該晶粒承載臺(tái)的上方,該第一晶粒吸取器具有一第一吸嘴;以及一第二晶粒吸取器,可移動(dòng)地位于一第二置放區(qū)及該晶粒承載臺(tái)的上方,該第二晶粒吸取器具有多個(gè)第二吸嘴。該第一吸嘴用以將該第一置放區(qū)上的多個(gè)晶粒的其中之一吸起并對(duì)準(zhǔn)放置于該晶粒承載臺(tái)上,直至該第一晶粒吸取器將一預(yù)定數(shù)量的所述晶粒放置于該晶粒承載臺(tái)上,所述第二吸嘴用以同時(shí)吸取并放置該預(yù)定數(shù)量的所述晶粒至一基板上。
為達(dá)到前述目的,本發(fā)明另提出一種固晶方法,包含:移動(dòng)一晶粒吸取器以對(duì)準(zhǔn)置于一第一置放區(qū)的多個(gè)晶粒其中之一后吸取該其中之一晶粒;重復(fù)上述步驟至該晶粒吸取器吸取一預(yù)定數(shù)量的所述晶粒;以及移動(dòng)該晶粒吸取器以同時(shí)放置該預(yù)定數(shù)量的所述晶粒至一第二置放區(qū)的一基板上。
為達(dá)到前述目的,本發(fā)明另提出一種固晶方法,包含:移動(dòng)一具有多個(gè)吸嘴的晶粒吸取器以吸取置于一第一置放區(qū)的一預(yù)定數(shù)量的晶粒;驅(qū)動(dòng)所述吸嘴使被吸取的該預(yù)定數(shù)量的所述晶粒對(duì)準(zhǔn)排列;以及移動(dòng)該晶粒吸取器以同時(shí)放置該預(yù)定數(shù)量的所述晶粒至一第二置放區(qū)的一基板上。
為達(dá)到前述目的,本發(fā)明另提出一種固晶方法,包含:移動(dòng)一第一晶粒吸取器以吸取置于一第一置放區(qū)的多個(gè)晶粒其中之一;對(duì)準(zhǔn)放置該其中之一晶粒于一晶粒承載臺(tái)的一預(yù)定區(qū)域;重復(fù)上述步驟至該第一晶粒吸取器將一預(yù)定數(shù)量的所述晶粒放置于該晶粒承載臺(tái)上;以及移動(dòng)一第二晶粒吸取器以同時(shí)吸取并放置該預(yù)定數(shù)量的所述晶粒至一第二置放區(qū)的一基板上。
借此,本發(fā)明的固晶裝置及固晶方法可兼具同步固晶的速度優(yōu)勢(shì)與固晶吸取器的良好精準(zhǔn)度,亦可避免傳統(tǒng)序列式固晶的耗時(shí)及省略吸取器所造成的對(duì)位不準(zhǔn)確等缺失,并減少傳統(tǒng)制程需反復(fù)固晶加熱的步驟,以降低晶粒累積不必要的熱預(yù)算。
附圖說(shuō)明
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說(shuō)明,其中:
圖1A為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的固晶裝置示意圖;
圖1B為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的固晶方法流程圖;
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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