[發明專利]形成太陽電池摻雜區的方法無效
| 申請號： | 201110460374.8 | 申請日： | 2011-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN103187478A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 王振交;韓培育;金光耀;陸紅艷 | 申請（專利權）人： | 無錫尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;B23K26/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214028 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 太陽電池 摻雜 方法 | ||
1.一種形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)在一半導體基片的表面形成一鈍化層；
(2)采用離子注入的方法，穿過所述鈍化層在所述半導體基片上形成雜質源區；
(3)采用激光照射所述雜質源區使其活化以得到太陽電池摻雜區。
2.根據權利要求1所述的形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：所述鈍化層的厚度為10nm～500nm。
3.根據權利要求1所述的形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：所述激光的發生器為脈沖激光器或者連續波激光器；所述激光的波長范圍為從紫外波段到紅外波段；所述激光的功率為2W～10W；所述激光的速度為1mm/s～6000mm/s。
4.根據權利要求1所述的形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：所述鈍化層也為減反層。
5.根據權利要求1所述的形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：所述鈍化層為氮化硅鈍化層、二氧化硅鈍化層或者三氧化二鋁鈍化層。
6.一種形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)采用離子注入的方法，在一半導體基片上形成雜質源區；
(2)在所述半導體基片上具有所述雜質源區的那一側表面形成一鈍化層；
(3)采用激光照射所述雜質源區使其活化以得到太陽電池摻雜區。
7.根據權利要求6所述的形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：所述鈍化層的厚度為10nm～500nm。
8.根據權利要求6所述的形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：所述激光的發生器為脈沖激光器或者連續波激光器；所述激光的波長范圍為從紫外波段到紅外波段；所述激光的功率為2W～10W；所述激光的速度為1mm/s～6000mm/s。
9.根據權利要求6所述的形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：所述鈍化層也為減反層。
10.根據權利要求6所述的形成太陽電池摻雜區的方法，其特征在于：所述鈍化層為氮化硅鈍化層、二氧化硅鈍化層或者三氧化二鋁鈍化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
