[發明專利]測試結構及其形成方法、沖洗工藝的沖洗時間判定方法

有效

• 申請號: 201110459708.X
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103187402A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 柳會雄;林愛梅
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/02;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種測試結構，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底表面的圖案層，所述圖案層中至少包括第一圖形和第二圖形，且至少第一圖形或第二圖形的面積大于2500平方微米，所述第一圖形和第二圖形之間的距離等于或小于對應的設計規則；

位于所述圖案層表面的檢驗層。

2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一圖形的長邊大于100微米，短邊大于25微米；所述第二圖形的長邊大于100微米，短邊大于25微米。

3.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，當所述第一圖形的長邊大于100微米，短邊大于25微米時，所述第二圖形的面積小于1平方微米。

4.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述圖案層的材料為金屬。

5.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述檢驗層包括：覆蓋所述圖案層和基底的脆性膜層和位于所述脆性膜層表面的光刻膠層，所述脆性膜層的厚度至少為圖案層的厚度的兩倍。

6.如權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述脆性膜層的材料為氮化硅、氮氧化硅或硅玻璃。

7.如權利要求6所述的測試結構，其特征在于，所述硅玻璃內摻雜氟、磷或硼。

8.如權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述光刻膠層內具有多個通孔。

9.如權利要求8所述的測試結構，其特征在于，所述通孔位于圖案層的圖形上方。

10.如權利要求5所述的測試結構，其特征在于，還包括：覆蓋所述光刻膠層表面的有機的抗反射層；或者覆蓋所述脆性膜層的有機或無機的抗反射層。

11.一種測試結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成位于所述基底表面的圖案層，所述圖案層中至少包括第一圖形和與所述第一圖形相鄰的第二圖形，且至少第一圖形或第二圖形的面積大于2500平方微米，所述第一圖形和第二圖形之間的距離等于或小于對應的設計規則；

形成位于所述圖案層表面的檢驗層。

12.如權利要求11所述的測試結構的形成方法，其特征在于，所述圖案層的形成工藝為刻蝕工藝、自對準工藝或機械刻化工藝。

13.如權利要求11所述的測試結構的形成方法，其特征在于，所述檢驗層的形成步驟包括：形成覆蓋所述圖案層和基底的脆性膜層，所述脆性膜層的厚度至少為圖案層的厚度的兩倍；形成覆蓋所述脆性膜層表面的光刻膠層。

14.如權利要求13所述的測試結構的形成方法，其特征在于，還包括：通過曝光顯影的方式在光刻膠層內形成通孔。

15.如權利要求14所述的測試結構的形成方法，其特征在于，所述通孔位于圖案層的圖形上方。

16.如權利要求13所述的測試結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述光刻膠層表面形成有機的抗反射層；或者在形成光刻膠層前，形成覆蓋所述脆性膜層表面的有機或無機的抗反射層。

17.如權利要求13所述的測試結構的形成方法，其特征在于，還包括：在沖洗前對所述光刻膠層進行軟烘烤。

18.一種沖洗工藝的沖洗時間判定方法，其特征在于，包括：

提供沖洗工藝設備和權利要求1-10中任一項所述的測試結構；

根據沖洗設備和待沖洗半導體器件獲得最大沖洗流量；

采用最大沖洗流量對所述測試結構進行沖洗，直至位于第一圖形和第二圖形之間的檢驗層產生裂縫，并獲取產生所述裂縫所需要的第一時間；

當對所述半導體器件進行沖洗時的流量為最大沖洗流量時，沖洗所述半導體器件的時間小于所述第一時間；

當對所述半導體器件進行沖洗時的流量小于最大沖洗流量時，沖洗所述半導體器件的時間小于等于所述第一時間。

19.如權利要求18所述的沖洗工藝的沖洗時間判定方法，其特征在于，所述沖洗工藝設備包括：旋轉裝置，用于放置測試結構，并帶動測試結構旋轉；

位于所述旋轉裝置上方的沖洗裝置，所述沖洗裝置用于對待沖洗的測試結構或半導體器件進行沖洗。