[發(fā)明專利]晶體管的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110459401.X
• 申請(qǐng)日: 2011-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN103187251A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉金華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/265
• 分類號(hào): H01L21/265;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有柵極結(jié)構(gòu)；

進(jìn)行第一離子注入，所述第一離子注入的角度是銳角；以及

進(jìn)行第二離子注入，所述第二離子注入的角度是鈍角，所述第二離子注入的能量和劑量比所述第一離子注入的能量和劑量高。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括在進(jìn)行第一離子注入前，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁上形成側(cè)墻。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的能量范圍是0.5keV至100keV，劑量范圍是1E13/cm²至5E15/cm²。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二離子注入的能量范圍是1keV至200keV，劑量范圍是1E14/cm²至1E16/cm²。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的角度的范圍是45°至88°。

6.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二離子注入的角度的范圍是92°至135°。

7.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，經(jīng)過所述第一離子注入和所述第二離子注入，在所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成相鄰的第一輕摻雜區(qū)和第一重?fù)诫s區(qū)，所述第一輕摻雜區(qū)更靠近所述柵極結(jié)構(gòu)，所述第一輕摻雜區(qū)和所述第一重?fù)诫s區(qū)作為晶體管的漏極。

8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜濃度范圍是1E17/cm³至1E20/cm³，所述第一重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度范圍是1E19/cm³至1E21/cm³。

9.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，經(jīng)過所述第一離子注入和所述第二離子注入，在所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第二重?fù)诫s區(qū)，所述第二重?fù)诫s區(qū)作為晶體管的源極，所述第二重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度范圍是1E19/cm³至1E21/cm³。

10.如權(quán)利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，或其任意組合。