[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110459129.5 | 申請日： | 2011-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103187523A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐佳;吳關(guān)平;劉燕;任佳棟 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 屠長存 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
相變單元，所述相變單元包括上部絕緣材料層、下部絕緣材料層以及夾在所述上部絕緣材料層和所述下部絕緣材料層之間的相變材料層；以及
第一側(cè)壁電極和第二側(cè)壁電極，分別位于所述相變單元相反的兩個(gè)側(cè)壁上，并與所述相變材料層的端面接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述相變材料層的材料為GeSbTe硫族化合物，所述上部絕緣材料層和下部絕緣材料層的材料為絕緣氧化物。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一側(cè)壁電極和第二側(cè)壁電極的材料為氮化鈦。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：
第一絕緣材料層，位于所述相變單元之下；
第一導(dǎo)電插塞，貫穿所述第一絕緣材料層，并與所述第一側(cè)壁電極電連接；以及
第二絕緣材料層，位于所述第一絕緣材料層之上，并與所述相變單元齊平。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一側(cè)壁電極包括豎直延伸部，所述豎直延伸部的下端與所述第一導(dǎo)電插塞的上端電連接。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一側(cè)壁電極包括豎直延伸部和水平延伸部，其中所述豎直延伸部的下端與所述水平延伸部的一端相連接，并且所述水平延伸部與所述第一導(dǎo)電插塞的上端電連接。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括埋置N+層和位于所述埋置N+層之上的選通二極管，所述選通二極管的上端與所述第一導(dǎo)電插塞的下端電連接。
8.如權(quán)利要求4至7中任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：
第三絕緣材料層，位于所述第二絕緣材料層之上；以及
第二導(dǎo)電插塞，貫穿所述第三絕緣材料層，并且所述第二導(dǎo)電插塞的下端與所述第二側(cè)壁電極的上端電連接，所述第二導(dǎo)電插塞的上端與位線電連接。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括貫穿所述第一絕緣材料層、第二絕緣材料層和第三絕緣材料層的第三導(dǎo)電插塞，所述第三導(dǎo)電插塞的下端與所述埋置N+層上的摻雜區(qū)電連接，所述第三導(dǎo)電插塞的上端與位線電連接。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括：
形成相變單元，所述相變單元包括上部絕緣材料層、下部絕緣材料層以及夾在所述上部絕緣材料層和所述下部絕緣材料層之間的相變材料層；以及
形成第一側(cè)壁電極和第二側(cè)壁電極，所述第一側(cè)壁電極和第二側(cè)壁電極分別位于所述相變單元相反的兩個(gè)側(cè)壁上，并與所述相變材料層的端面接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成相變單元的步驟包括：
依次沉積下部絕緣材料層、相變材料層和上部絕緣材料層；以及
對所述下部絕緣材料層、相變材料層和上部絕緣材料層進(jìn)行刻蝕以形成所述相變單元。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述相變材料層的材料為GeSbTe硫族化合物，所述上部絕緣材料層和下部絕緣材料層的材料為絕緣氧化物。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成第一側(cè)壁電極和第二側(cè)壁電極的步驟包括：
沉積電極層以覆蓋所述相變單元的上部絕緣材料層和側(cè)壁；以及
對所述電極層進(jìn)行刻蝕，以形成所述第一側(cè)壁電極和所述第二側(cè)壁電極。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述電極層的材料為氮化鈦。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述相變單元之前還包括：
沉積第一絕緣材料層，所述相變單元形成于所述第一絕緣材料層之上；以及
形成第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞貫穿所述第一絕緣材料層，并且與所述第一側(cè)壁電極電連接。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，第一側(cè)壁電極包括豎直延伸部，所述豎直延伸部的下端與所述第一導(dǎo)電插塞的上端電連接。
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