[發(fā)明專利]一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110455950.X | 申請(qǐng)日: | 2011-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103184418A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周文彬;劉幼海;劉吉人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34;C23C14/46 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 201707 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 玻璃 鍍膜 制程腔 氣體 導(dǎo)入 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置,特別關(guān)于一種鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置,達(dá)到氣體均勻分布于鍍膜制程腔內(nèi),完成均勻分布的電漿范圍。
背景技術(shù)
當(dāng)前,鍍膜技術(shù)中之濺鍍法(Sputtering),其原理是在一真空腔體中通入工作氣體,通常為Ar,并以靶材為陰極,使得工作氣體在高壓電場(chǎng)作用下被解離成離子與電子狀態(tài),形成電漿,電漿中的正離子于高壓電場(chǎng)中會(huì)加速移動(dòng)并轟擊陰極靶材(Target)的表面,使靶材原子濺飛出并沉積、附著在光伏玻璃的表面上,以形成薄膜;現(xiàn)有一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置,水平設(shè)置于制程腔用以將工作氣體導(dǎo)入于該腔體中,然而,由于該氣體引入只有中心進(jìn)氣點(diǎn),相當(dāng)容易造成工作氣體過(guò)度集中于中間段部,而該制程腔體之上、下段部處的氣體量卻較為稀薄、不均的現(xiàn)象,如此一來(lái),不僅會(huì)連帶影響到該制程腔體內(nèi)部所通入工作氣體的擴(kuò)散均勻性,還會(huì)影響濺鍍作業(yè)之質(zhì)量效率,尤其所述不良現(xiàn)象的負(fù)面影響,將隨著真空濺鍍?cè)O(shè)備之尺寸規(guī)格日漸增大而更趨明顯、嚴(yán)重;本案創(chuàng)作人鑒于上述現(xiàn)有真空濺鍍?cè)O(shè)備的進(jìn)氣裝置具所衍生的各項(xiàng)問(wèn)題及不足,乃亟思加以改良創(chuàng)新,并經(jīng)多年苦心孤詣潛心研究后,終于成功研發(fā)完成一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在于提供一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置,主要包含:一反應(yīng)制程腔體、一氣體導(dǎo)引管路、一導(dǎo)引管路框架所組成,通過(guò)外接入之氣體透過(guò)氣體導(dǎo)引管所設(shè)置的氣體導(dǎo)入接頭進(jìn)入,氣體導(dǎo)引管路上設(shè)有依照氣體導(dǎo)入管路長(zhǎng)度分布平均的小孔作為氣體噴出口,形成一側(cè)邊向下噴出的動(dòng)作,導(dǎo)引管路框架支撐氣體導(dǎo)引管路,使其能水平置放于導(dǎo)引管路框架上,使得制成氣體能有效集中于反應(yīng)區(qū),完成一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置,藉此,可達(dá)到有效均勻分布?xì)怏w于鍍膜制程腔內(nèi)部,完成均勻分布之電漿粒子內(nèi)。本發(fā)明有益效果為:1.??????本發(fā)明利用管路開(kāi)孔的密度不同達(dá)到氣體導(dǎo)入均勻分布于制程腔體中,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,2.??????本發(fā)明后續(xù)不需要維護(hù)保養(yǎng),節(jié)省保養(yǎng)成本。
具體實(shí)施方式
????下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
請(qǐng)參閱第一圖、第二圖及第三圖所示,為一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置,其包括一導(dǎo)引管路框架12、氣體導(dǎo)引管路11、該氣體導(dǎo)引管路11水平架設(shè)于導(dǎo)引管路框架12上,氣體導(dǎo)引管路框架12上設(shè)有固定架21,用以固定氣體導(dǎo)引管路11,該氣體透過(guò)氣體導(dǎo)入接頭22引入,引入之氣體透過(guò)氣體導(dǎo)引管路11上設(shè)置的小孔31向外噴出,該小孔31以不同密度分布于氣體導(dǎo)引管路11上,通常為中間段較疏,上下兩段較密集,以防止氣體引入后過(guò)度集中于中間段,造成鍍膜制程腔氣體分布不均勻,而致使電漿分布也同時(shí)不均勻。
本發(fā)明在突破先前之技術(shù)結(jié)構(gòu)下,確實(shí)已達(dá)到所欲增進(jìn)之功效,且也非熟悉該項(xiàng)技藝者所易于思及,其所具之進(jìn)步性、實(shí)用性,顯已符合發(fā)明專利之申請(qǐng)要件,惟上列詳細(xì)說(shuō)明系針對(duì)本發(fā)明之一可行實(shí)施例之具體說(shuō)明,該實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明之專利范圍,而凡未脫離本發(fā)明技藝精神所為之等效實(shí)施或變更,均應(yīng)包含于本案之專利范圍中。
???第一圖系為本發(fā)明之一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置示意圖,第二圖系為本發(fā)明之一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置氣體導(dǎo)引管路示意圖,第三圖系為本發(fā)明之一種光伏玻璃鍍膜制程腔氣體導(dǎo)入裝置氣體導(dǎo)引管路開(kāi)孔示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明:11...氣體導(dǎo)引管路12...導(dǎo)引管路框架21...固定架22...氣體導(dǎo)入接頭31...小孔。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





